GB/T 14849.4-2014工业硅化学分析方法 第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法.pdf

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GB/T 14849.4-2014工业硅化学分析方法 第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法.pdf

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ICS 77.120.10 H 12 国 中华人民 =1:1:. 不日 国国家标准 --、 GB/T 14849.4-2014 代替 GB/T 14849.1-2008 工业硅化学分析方法 第 4 部分:杂质元素含量的测定 电感捐合等离子体原子发射光谱法 Methods for chemical analysis of silicon metal 一 Part 4: Determination of impurity contents- Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method 2014-12-05 发布 2015-08-01 实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 14849.4-2014 目IJ ï=i GB/T 849((工业硅化学分析方法》分为 9 个部分: 一一第 部分:铁含量的测定 ,10 二氮杂菲分光光度法; 一一第 2 部分:铝合量的测定铭天青 S 分光光度法; 一一第 3 部分:钙含量的测定火焰原子吸收光谱法、偶氮氯腾 I分光光度法; 第 4 部分:杂质元素含量的测定电感祸合等离子体原子发射光谱法; 第 5 部分:杂质元素含量的测定 X 射线荧光光谱法; 第 6 部分:碳含量的测定红外吸收法; 一-第 7 部分:磷含量的测定铝蓝分光光度法; 一一第 8 部分 2 铜含量的测定 PADAP 分光光度法; 一一第 9 部分 2 钦含量的测定二安替比林甲院分光光度法。 本部分为 GB/T 14849 的第 4 部分。 本部分按照 GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。 本部分代替 GB/T 14849.4-2008(( 工业硅化学分析方法第 4 部分:电感藕合等离子体发射光谱 法测定元素含量》。与 GB/T 14849.4-2008 相比,主要技术变化如下: 一一增加了铜、铭、饥、侯、钻、磷、仰、纳、铅、镑、砌的检扭!~; 一一增加了两种溶样方式; 补充了重复性限、再现性限实验数据。 本部分由全国有色金属标准化技术委员会 (SAC/TC 243) 归口。 本部分负责起草单位 z 昆明冶金研究院、中国铝业股份有限公司郑州研究院、昆明冶研新材料股份 有限公司。 本部分参加起草单位:云南出入境检验检疫局技术中心、通标标准技术服务有限公司、浙江合盛硅 业有限公司、云南永昌硅业股份有限公司。 本部分主要起草人:如 j 维理、王劲榕、李跃平、赵德平、杨毅、赵建为、王云舟、王宏磊、聂长虹、 刘英波、卢国洪、吴豫强、张云晖、谭少姬、程志武、周杰。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为: 一一-GB/T 14849.4-20080

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