吕国泰《电子技术》第1章.pptVIP

* 第五节 半导体三极管 2.放大区：曲线平坦部分　　　　　　 ?IB ?IC 　　特点： ①受控特性：IC受IB控制。　 ②恒流特性：IB一定时，IC不随 ICE而变化。 ?uCE ?IC 三个工作区域 0 IB=0μA 20μA 40μA 60μA UCE/V IC/mA 放大区 3 6 9 12 1 2 3 4 曲线间距反映电流放大系数β　　　　　 * 第五节 半导体三极管 0 UCE/(V) IC/(mA) 3.饱和区:曲线上升部分,UCE很小，UCE＜UBE　　 特点：IC不受IB控制，失去放大作用。 IC1 IB1 IC2 IB2 ?IB ?IC 变化小,不成比例 饱和区 三个工作区域 UCES饱和压降 * 第五节 半导体三极管 三极管工作状态区分 放大区 饱和区 截止区 e结 正向偏置 正向偏置 反向偏置 c结 反向偏置 正向偏置 反向偏置 UCE= UCB+ UBE UCE UBE时:UCB为负，由反向偏置转为正向偏置。 UCE= UBE时:UCB为零； + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e * 第五节 半导体三极管 UCE= UCB+ UBE 深度饱和：UCE UBE，UCB为负。 临界饱和：UCE= UBE，UCB为零。 小功率管深度饱和时： 硅管UCES ? 0.3V~0.5V 锗管UCES ? 0.1V~0.2V + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e 三极管工作状态区分 * 第五节 半导体三极管 三极管工作状态区分 放大区 饱和区 截止区 e结 正向偏置 正向偏置 反向偏置 c结 反向偏置 正向偏置 反向偏置 e结c结均反向偏置。 + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e 硅管UBE死区电压0.5 V已开始截止，为使e结可靠截止,令UBE ≤0。 * 第五节 半导体三极管 四、主要参数 （一） 直流参数　 衡量三极管处于直流工作状态时放大能力的参数。 1. 共射直流电流放大系数　 （当ICICEO时） 2.极间反向电流ICBO，ICEO 衡量三极管质量优劣的参数。受温度影响很大。 * 第五节 半导体三极管 ICBO 穿透电流 反向饱和电流 e极开路，c-b间加反压时。 （1）集-基反向饱和电流ICBO （2）集-射反向穿透电流ICBO b极开路，c-e间加反压时。 β不超过100 尽可能小 + - EC + - EC μA ICEO μA 少数载流子随温度增高而增大。 * 第五节 半导体三极管 描述晶体管处于交流工作状态（动态）时放大能力的参数。 (二) 交流参数　 共射交流电流放大系数β 由于制造工艺的分散性，相同型号的管子β也有差异。β取20~100。 * 第五节 半导体三极管 (三) 极限参数ICM，PCM，UCEO 最大集电极电流ICM: 超过时，β下降。 ICM就是 β下降到正常值2/3时的IC。 最大集电极耗散功率PCM: PCM=IC.UCE PCM与环境稳度有关，注意手册中对散热片的要求。 为保证晶体管安全工作对它的参数的限制。 + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e * 第五节 半导体三极管 级间反向击穿电压: UCBO——e极开路时，c结反向击穿电压。 UEBO——c极开路时，e结反向击穿电压。 UCEO——b极开路时，c极-e极反向击穿电压。 I/mA U/V o U(BR) + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e 反向击穿电压 三极管有两个PN结 * 第五节 半导体三极管 安全工作区 0 IB=0μA 10 20 30 UBE/V IC/mA ICM 最大集电极电流 PCM 最大集电极耗散功率 UCEO 级间反向击穿电压 PCM=ICUCE=常数 安 全 工 作 区 * 第五节 半导体三极管 t ui O t uO O 模拟信号 五、三极管应用举例 1.放大 EB RC RB 10V EC ui + - * 第五节 半导体三极管 t ui 0 t uO 0 截 饱 截 饱 截止区－开关打开 饱和区－开关闭合 + - uCE (uo) 数字信号 2.做电子开关 3V 10V 0.3V 截 ui + - RC RB 10V EC * 归纳 三极管 1.特性：放大。 2.放大实质：小IB控制大IC，电流控制作用。 3.特性曲线及工作区域