电气绝缘测试技术(全).pptVIP

3、 残余电感及零电容的影响。 R3 、R4 都是无感电阻，但实际上仍有残余电感 L3、L4。电容 C4 刻度为零时，也还有残余电容 C40 。在电桥平衡时它们间相互有补偿作用，但不能完全相互抵消。为了能更好的相互补偿，可在R4的中点与地之间接一可调电容Ca。 二、外来电场干扰 I U δ1′ δx I1c Ixc Ii Ix Ii′ I1′ δ1 I1 在试验环境中，特别是在变电站等现场进行测量时，往往存在高压设备，在试品所在的空间存在电场，测试回路中会有干扰电流。 实际 测得 电流 Ix I1 损耗因数 tan δx tan δ1 电容： Ixc/?U I1c/?U 设： Ix—试验电压产生的电流 Ii—干扰电流 I1—通过试品的电流 消除外来电磁干扰最常用的方法是屏蔽法和倒相法两种。 1、屏蔽法：在试品的测试系统与干扰源间用金属板或网屏蔽起来，使电磁场 透过屏蔽层大大衰减。 衰减程度与屏蔽材料的电导率、磁导率、金属板的厚度以及被衰减的电磁波的频率有关。 衰减值用A(dB)表示 ★只适用于实验室内。 f—被衰减的电磁波的频率； G—屏蔽材料相对于铜的电导率比 —屏蔽材料相对空气的磁导率之比 t—屏蔽板厚度(mm) 2、倒相(移相电源)法：在正相和反相电压下，两次测量电容和损耗因数。 在正相和反相电压下，两次测量电容和损耗因数分别记为C1、C2和tan δ1、tan δ2，则 试品的电容为 C1 ? C2 2 Cx ? 试品的损耗因数为 tan ? x ? C1 tan ?1 ? C2 tan ? 2 C1 ? C2 三、外来磁场干扰 磁场的干扰主要是影响指示电桥平衡的检流计的正常工作，即改变检流计的固有磁场。 解决方法：测量前先把检流计的输入开关置于断开位置，这时若指示不为零，则说明有外来磁场干扰，移动电桥和检流计的位置，直到指示为零，说明已避免了外来磁场的影响；若不完全避免，可改变检流计的极性开关，进行两次测量。 设在正极性下测得的结果是C1和tanδ1，反极性下测得的是C2和tanδ2，则试品的电容和损耗因数分别为： 2C1 C2 C1 +C2 Cx ? tan ? x ? tan ?1 ? tan ? 2 2 习 题 课 1、什么是绝缘电阻、体积电阻、表面电阻，影响绝缘电阻的因素有那 些？ 6、利用高压西林电桥测量绝缘材料εr和tanδ时，如何消除杂散电容及其外来电场的影响 2、测量绝缘电阻能发现材料的哪些绝缘缺陷？ 4、什么是介质损耗，影响介质损耗的因素有哪些？ 5、简述西林电桥测量εr和tanδ的工作原理？ 3、进行绝缘材料介电性能测试时，电极材料选择的基本原则是什么？ 第四章 介电强度试验 第一节 概 述 一、定义 1、电气击穿：绝缘材料或结构，在电场作用下瞬间失去绝缘特性，造成电极 间短路。(试样上有贯穿的小孔，裂纹以及碳化的痕迹) YJV22 10KV 3*120 电缆线芯击穿后打开线芯 击穿处削去外屏，打压定位时电压较高，已烧出一个洞。 进一步削开查看 2、在试验中或在使用中，绝缘材料或结构发生击穿时所施加的电压，称为击 穿电压；击穿点的场强称为击穿场强。 3、绝缘材料的介电强度是指材料能承受而不致遭到破坏的最高电场场强。 对于平板试样 U B d EB ? 式中：EB—击穿场强(MV/m或kV/mm) UB—在规定试验条件下，电极间击穿电压(MV或kV) d—两电极间击穿部位的距离，即试样在击穿部位的 厚度(m或mm) 4、在气体或液体中，电 极之间发生放电，当 放电至少有一部分沿 着固体材料表面时， 称为闪络。通常试样 表面闪络后，还可以 恢复绝缘特性。闪络 时试样上施加的电压 称为闪络电压。 发出弧光 说明：(1)闪络电压比空气间隙的击穿电压要低得多。 (2)容易吸湿、介质表面粗糙、介质与电极非紧密接触的固体沿面的闪