LED芯片制程工艺培训.pptVIP

* 13、研磨--减薄 GaN缓冲层 n-GaN n-GaN MQW AlGaN P-GaN ITO SIO2 Cr-Pt-Au SIO2 145A SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN 蜡纸厚度25um 设备：减薄机 SOP：《剪薄机作业指导书-蓝宝石》C3-55-212 注意项：减薄程序及机台点检表，油石、砂轮、减薄液，水泵有无正常喷水 程序名称 使用权限说明 DUMMY.han 设备供应商设备调试 TS0709.han 生产7*9/12*13芯片使用 TS0709.han 生产1023芯片使用 GONGCHEGN.han 研发工程实验使用 * 13.2 研磨----抛光 GaN缓冲层 n-GaN n-GaN MQW AlGaN P-GaN ITO SIO2 Cr-Pt-Au SIO2 86A SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN 设备：抛光机 SOP：《研磨机作业指导书-蓝宝石》C3-55-213 注意项：研磨程序及研磨时间确认、研磨液位确认 * 14、划片 SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN 深度：31±2um 宽度:9-10um 背面因经过研磨，所以划痕明显 设备:划片机 注意项：机台点检表及程序确认、X/Y轴划深校验、 切割机滤芯更换周期 * 14.2 裂片 SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN SI02 SIO2 SI02 ITO ITO GaN缓冲层 MQW AlGaN P-GaN n-GaN n-GaN 沟槽中是否有SIO2,须看下光刻板 深度：31±2um 宽度:9-10um 劈刀 设备:裂片机 工艺：机台点检表，产品裂偏及双胞确认。 * 与COW测试不同点： 1、大圆片：不加ESD、1/100抽测，需打印Mapping图 2、分选片：1000vESD、全测 注意项：1、收光器的选择：显微镜、积分球 2、过滤网的选择：ST在10-25之间，15为最佳 3、规格名称的选择： 4、静电箱开启、ESD的选择 5、擦针：音乐响起，擦针同时需确认针痕位置及大小 6、换针；30万 15、后制程测试 * AOI（Automatic Optic Inspection）的全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是近几年才兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，目前很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。 通俗的讲，对大圆片外观进行分类，减少手选的工作量，减少方片的重排率，提高工作效率。 注意项：条形码，良率确认，Mapping中T字和光刻点是否正确 。。。。 16、AOI * 随着 LED 技术的不断提高，其应用范围越来越广，人们 对 LED 的质量要求也越来越高。当 LED 作为阵列显示或 显示屏器件时，由于人眼对于颜色波长和亮度的敏感性，使 用没有分选过的 LED 就会产生不均匀的现象，影响人们的 视觉效果。因此对 LED 的主波长、发光强度、光通亮、色 温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分 选变的尤为重要。 分选方式： 1.将划片后的晶圆按照点测数据进行分类 2、重排 注意项：Mapping图像检查，是否经过AOI，产品排列 对点检查，顶针及吸嘴等 15、自动分选 蓝膜 吸嘴 顶针 芯片制造完成 成品芯片 * * 数码管(Display) 大功率(High Power Led) 贴片(SMD) 食人鱼(P4) 普通LED(P2) 下游成品 * 分享完毕，谢谢各位！ * * * * 蓝宝石工艺制程培训资料 * LED：Light Emitting Diode的简称，即发光二极管，是一种将电转化为可见光的物质，其核心是PN结，当P区的空穴和N区的电子复合，将多余的电势能以辐射光子的形式释放出来。 LED芯片分二元，三元，四元芯片的主要