电路与电子技术复习题..doc

电路与电子技术复习题 第4章 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 4、三极管处在放大区时，其 集电结 电压小于零， 发射结 电压大于零。 5、三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。 6、在半导体中，温度变化时 少 数载流子的数量变化较大，而 多 数载流子的数量变化较小。 7、三极管实现放大作用的内部条件是： 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小 ；外部条件是： 发射结要正向偏置、集电结要反向偏置 。 8、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 100 。 9、三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 放大区 和 截止区 。 10、双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。 11、三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。 12、 某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V，则三极管的集电极是 A ，基极是 C ，发射极是 B 。该三极管属于 PNP 型，由 锗 半导体材料制成。 二、判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ × ） 2、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ） 3、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ） 4、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（ × ） 5、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三、选择题 1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ a ）。 a. 多数载流子扩散形成 b. 多数载流子漂移形成 c. 少数载流子漂移形成 d. 少数载流子扩散形成 2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（ c ）。 a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN结的（ d ）。 a. 单向导电性 b. 反偏截止特性 c. 电容特性 d. 反向击穿特性 4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ c ）。 a. 10μA b. 15μA c. 20μA d. 40μA 5、在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时，则该管工作状态为：（ B ）。 A．饱和 B．截止　　 C.放大 D．不能确定 四、分析计算题 1、写出题图4.1所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。 解：VO1≈2V（二极管正向导通），VO2＝0（二极管反向截止），VO3≈－2V（二极管正向导通），VO4≈2V（二极管反向截止），VO5≈2V（二极管正向导通），VO6≈－2V（二极管反向截止）。 题图 题图4.1 (a)(c)(b)题图4.22、 设题图 (a) (c) (b) 题图4.2 解：题图4.2所示的电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，VAO=－6V， 图（b）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V， 图（c）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V。 3、电路如题图4.3所示，已知vi＝6sinωt(v)，试画出vi与vo的波形，并标出幅值。设二极管为理想的。 题图4.3 题图4.3 5、判断三极管的工作状态和三极管的类型。 1管： 答：NPN管，工作在放大状态。 2管： 答：NPN管，工作在饱和状态。 3管： 答：NPN管，工作在截止状态。 6、题图4.4所列三极管中哪些一定处在放大区？ 题图 题图4.4 6V 3V A 6V 2.3V 2.3V C 3V 9.3V 5.7V D 5V 0V 1.9V B 1.6V