电路基础复习题带答案..doc

PAGE PAGE 1 高职计算机电路复习题一 一、填空题 1、根据导电的程度，物质可分为导体、绝缘体和 半导体 。 2、半导体的导电性能具有两个显著特点是 敏感性 和 掺杂性。 3、半导体按导电类型可分为 P型半导体和 N型半导体。 4、带有一定 电量 且能在电场力作用 自由运动 称为载流子。 5、物体的导电能力取决于该物体内载流子的 浓度 和 运动速度 。 6、半导体的重要特点是 自由电子 和 空穴 同时参加导电。 7、N型半导体是在本征半导体中加入微量的 五 价元素，它的多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 ，产生的电流主要是 电子流 。 8、P型半导体是在本征半导体中加入微量的 三 价元素，它的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 ，产生的电流主要是 空穴电流 。 9、PN结的最基本的性质是 单向导电性 性。 10、反向连接：PN结的外加电源正极接 N型区，负极接 P区 11、正向连接：PN结的外加电源正极接 型区，负极接 区 12、二极管是具有 单向导电性 性的 两 极器件。 13、PN结的单向导电性： （1）当PN结两端加上正向电压时，PN结处于 导通 状态。此时形成 正向的电流，呈现的电阻阻值 小。 （2）当PN结两端加上反向电压时，PN结处于 截止 状态。此时形成 反向 的电流，呈现的电阻阻值 较大 。 14、P型半导体上引出的电极叫 正极 或 阳极 ，用符号 “+”表示。 15、N型半导体上引出的电极叫 负极 或 阴极 ，用符号“-”表示。 16、二极管的符号是 。 17、二极管按材料分 锗二极管、 硅 二极 按结构分 点接触 型二极管、 面接触 型二极管。 18、点接触型二极管由于PN结的面积很 小 ，故适用于 高 频信号的检波，适合微 小 电流的整流及脉冲电路。 19、面接触型二极管由于PN结的面积 大 ，能承受较 大的电流，适用于整流，不适用于 高 频电路。 20、二极管的伏安特性，是指加到二极管两端的 电压 与流过二极管的 电流 之间的关系曲线。 21、二极管的伏安特性： （1）正向特性 ： a、分两个区分别是 导通 区、 死 区。 b、死区：外加 正 向电压很 小 时， 正 向电流很小，二极管表现 出有 较大 的电阻，我们把这个基本截止状态的区域称为“死区”。 c、死区电压：硅管 0.5 V，锗管 0.2 V。 d、正向导通区：当加在二极管两端的电压超过一定的数值以后，二极管的电阻变得很 小 ，正向电流开始显著增加，二极管处于 正向导通 时，其正向电压变化不大。 e、导通电压：硅 0.6～0.7 V，锗管 0.2～ 0.3 V。 (2)反向特性 ： a、分两个区分别是 反向饱和 区、 反向击穿区 区。 b、二极管两端加反向电压时，外加电压在一定范围内变化，反向电流很 小 ，且基本维持不变，且和反向电压的数值无关、反向电流随温度的上升 增长 很快。 c、在同样温度下，硅管的反向电流比锗管 小得多 。 d、反向电流也称为 反向饱和电流 ，它的大小是衡量二极管质量好坏的一个重要标志。 反向电流越大，说明二极管单向导电性能 越差 。 e、反向击穿：当 反向 电压增大到一定数值后，反向电流会突然 增大 ，这时二极管失去 单向导电性 ，这种现象称为 反向击穿 。 f、发生击穿时的电压称为 反向击穿电压 ，二极管反向击穿后，反向电流很大，会导致PN结 烧坏 。 g、二极管的电阻不是一个 常数 ，它的伏安特性曲线不是一条直线，二极管是一个 非线性 电阻器件。 22、晶体二极管的主要参数 它是反映器件性能的质量指标，是正确选择和使用管的依据。 （1） 最大整流电流 ：是指二极管允许通过 的 最大正向平均电流 ，是为了保证二极管的 温升 不超过允许值而规定的限制。 （2）最高反向工作电压；二极管反向电压高时会引起二极管 反向击穿 ，因此要限制反向工作的电压。 （3） 反向饱和电流 ：是指管子 未击穿 时的反向电流值，它越小说明管子的单向导电性能越好，它受 温度 影响很大。 二、综合题 1、PN结的单向导电性。 2、二极管的反向击穿。 高职计算机电路复习题二 一、填空题 1、导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为 半导体 2、在N型半导体中，主要依靠 自由电子 导电，在P型半导体中主要依靠 空穴 导电。 3、PN结具有 单向导电性 性能。 4、PN结的正向接法是电源的正极接 P 区，电源的负极接 N区。