模拟电子技术-教案.doc

资料 PAGE . 学校 教 案 2011～2012学年 第二学期 学院(系、部) 机电工程学院 教研室(实验室) 电气工程 课 程 名 称 模拟电子技术 授 课 班 级 主 讲 教 师 职 称 使 用 教 材 泰州师范高等专科学校 二○一二年二月 模拟电子技术 课程教案 第1讲 [课程类别] 理论课 [授课题目] 1.1 半导体基础知识 [教学目的与要求] 1. 了解PN结的形成； 2. 理解PN结的单向导电性。 [教学重点与难点] 重点：PN结的单向导电性； 难点：1. 掺杂半导体中的多子和少子的概念； 2. PN结的形成； 3. 半导体的导电机理：两种载流子参与导电； [教具和媒体使用] 多媒体课件。 [教学方法] 讲授法、问题教学法。 [教学时数] 2学时。 [教学过程] 导入： 介绍日常生活中由半导体器件构成的物品。 新授： 一、半导体基本概念 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。 半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性，这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时，本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。 5、杂质半导体 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材料。在本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成N型（电子型）半导体；掺入三价元素（如硼、镓、铟等）就形成P型（空穴型）半导体。杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大、温度越高，其导电能力越强。 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 多子（自由电子）的数量＝正离子数＋少子（空穴）的数量 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 多子（空穴）的数量＝负离子数＋少子（自由电子）的数量 二、PN结的形成及其单向导电性 1、PN结的形成 半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。 PN结的形成：在同一块半导体上形成P型和N型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳定下来，PN结就形成了。 2、PN结的单相导电性 当P区的电位高于N区的电位时，称为加正向电压（或称为正向偏置），此时，PN结导通，呈现低电阻，流过mA级电流，相当于开关闭合； 当N区的电位高于P区的电位时，称为加反向电压（或称为反向偏置），此时，PN结截止，呈现高电阻，流过μA级电流，相当于开关断开。 PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：即当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。 PN结的单向导电性：PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 PN结的反向击穿特性：当PN结的反向电压增大到一定值时，反向电流随电压数值的增加而急剧增大。 PN结的反向击穿有两类：齐纳击穿和雪崩击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。 2、PN结温度特性 当温度升高时，PN结的反向电流增大，正向导通电压减小，这也是半导体器件热稳定性差的主要原因。 3、PN结电容效应 PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定：一是势垒电容CB ，二是扩散电容CD，它们均为非线性电容。