《半导体器件》课程设计报告.ppt

1.传输高电平分为3个阶段： ⑴ Vout≤-VTP NMOS和PMOS都饱和 ⑵- VTPVout VDD-VTN NMOS饱和, PMOS线性 ⑶ Vout ≥VDD-VTN NMOS截止, PMOS线性 2.传输低电平分为3个阶段： ⑴ Vout≥-VTP NMOS和PMOS都饱和 ⑵ VDD- VTNVout-VTP NMOS饱和, PMOS线性 ⑶ Vout ≤-VTN NMOS线性, PMOS截止 二.传输门版图 L1版，多晶硅版 L2版，金属1反刻版 L3版，有源区版 L4版，N型注入区版 L5版，P型注入区版 L6版，多晶硅接触孔版 L7版，金属2反刻版 L8版，扩磷版 L9版，金属接触孔版 L10版，有源区接触孔版 二.传输门版图 二.传输门版图 二.传输门版图 三.传输门工艺流程 四.BJT和CMOS工艺 四.BJT和CMOS工艺 双极性晶体管有四种工作状态： 1．发射结正偏，集电结反偏时， 为放大工作状态； 2．发射结正偏，集电结正偏时， 为饱和工作状态； 3．发射结反偏，集电结反偏时， 为截止工作状态； 4．发射结反偏，集电结正偏时， 为反向工作状态； 五.可调电阻版图 附1：翻译 L-EDIT操作手册 第5页 附2：BJT参数测量 附2：BJT参数测量 参考文献 [1]关旭东．硅集成电路工艺基础[M]．北京大学出版社．2003.10 [2]刘恩科 朱秉升 罗晋生.半导体物理学[M].电子工业出版社.2009.2 [3]施敏 梅凯瑞.半导体制造工艺基础[M].安徽大学出版社.2007.4 [4]蔡懿慈 周强.超大规模集成电路设计导论[M].清华大学出版社.2005.1 [5]王志功 景为平 孙玲．集成电路设计技术与工具[M].东南大学出版社．2007.7 [6]曾树荣．半导体器件物理基础[M].北京大学出版社．2009.5 [7]王志功，陈莹梅．集成电路设计[M]．电子工业出版社．2009.6 [8]廖裕评. 微电子系统设计导论[M].东南大学出版社.1990.7 [9]童勤义，陆瑞强.Tanner Pro 集成电路设计与布局实战指导 [M].科学出版社.2007.7 [10] [美]Christopher Saint,Judy Saint. 集成点了版图基础[M].清华大学出版社.2006.10 [11]百度百科 /view/22318.htm?fr=ala0_  谢谢指导 五.可调电阻版图 L4版，接触孔版 L5版，接触孔版 五.可调电阻版图 工艺参数值： 衬底类型为N型 多晶硅薄层的方块电阻值Rs=20Ω/□ 硅片电阻率取 =70Ω/cm 扩散深度Xj= 2um 扩散温度T=1300℃ 衬底掺杂浓度 扩散时间 建议:本教程的目的是教会你如何使用L-EDIT。为了节省时间,你不需要了解每个层的名字和功能的不同.只需要根据 这个教程所述的方法绘制对象。 3. 分别在n型区/p型区上画出源区/漏区和衬底有源区。基区不能直接连接到金属层，所以我们需要在连接处生成n型或者p型掺杂层。注意n型选择区可以正交穿过多晶硅栅，因为在芯片受到n型掺杂原子轰击的时候多晶硅栅可以阻止n型原子淀积在栅下。 8050管输出特性曲线 8550管输出特性曲线 * 《半导体器件》课程设计报告 目录 1.传输门简介 2.传输门版图 3.传输门工艺流程 4.BJT和CMOS工艺 5.可调电阻版图 一.传输门的简介 CMOS传输门如图所示是由一对互补MOS晶体管构成。 CMOS传输门是较为理想的开关，它可以将信号无损失的传输到输出端。 工作时，NMOS衬底接地，PMOS管的衬底接电源，且NMOS管的栅压与PMOS管的栅压极性相反。 一.传输门的简介 直流电压传输特性 L1版，多晶硅版 L2版，金属1反刻版 L3版，有源区版 L4版，N型注入区版 具体分版图如下图所示： L5版，P型注入区版 L6版，多晶硅接触孔版 L7版，金属2反刻版 L8版，扩磷版 L9版，金属接触孔版 L10版，有源区接触孔版 二.传输门版图 总版图图形 X轴长度32μm，Y轴长度56μm， 图形有效面积为1792μm2 L1、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10版， 有色区域为光刻版的不透光区。 L2、L7版，为金属反刻版 图形有色区域为光刻版的透光区。 三.传输门工艺流程 三.传输门工艺流程 三.传输门工艺流程 三.传输门工艺流程 三.传输门工艺流程 三.