Rena前后清洗工艺培训教材.ppt

3、更换酸槽药液 主界面依次点击stop→Mode Manual停机并将机器切换成手动操作模式 点击Manual进入手动换药界面(程序默认为刻蚀槽换药界面) 点击F11在出现的界面点击Drivers进入滚轮控制界面，依次点击All conveyors→Start开启滚轮。点击F4回到刻蚀槽换药界面。 点击F4切换至酸槽换药界面。 酸槽换药界面 点击Draining将药液排掉。 待Acidic Rinse图标显示Empty（黄色），点击Filling DI加水清洗。 待Acidic Rinse图标显示Full DI时，表示水已加满。这时设备进入自动循环状态，循环2min。清洗次数依实际情况而定（一般为2次）。 点击Draining将水排掉，待Acidic Rinse图标显示Empty，排水完毕。清洗结束。 点击Filling Chemie添加药液。若加药过程外围药液量不够报警，通知外围换药。待外围换药结束，确认无报警信息后点击PT Filling Chemie继续加药。 依次点击F11→Drivers进入滚轮控制界面，依次点击All conveyors→Stop关闭滚轮。 按F10返回主界面。 依次点击Mode Auto→Start开启机器。 Thanks for your attention! 去PSG原理方程式： SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O 去PSG工序检验方法： 当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净，可在HF槽中适当补些HF。 后清洗工艺步骤： 边缘刻蚀→碱洗 →酸洗→吹干 RENA InOxSide后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。 Etch bath Rinse1 Alkaline Rinse Rinse2 HF bath Rinse3 Dryer2 Etch bath：刻蚀槽，用于边缘刻蚀。 所用溶液为HF+HNO3+H2SO4，主要工艺参数： Firstfill volume:270.0L; Firstfill volume H2SO4 :80.0L; concentrations of chemical:HF(35g/L)HNO3 (350g/L); Quality:100.0Kg; Setpoint recirculation flow:22.0L/min; Bath processtemperature:7±2 ℃ 注意扩散面须向上放置， H2SO4的作用主要是增大液体浮力，使硅片很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm左右和下表面与液体接触）。 根据刻蚀情况，可对温度作适当的修正。越高的温度对应越快的反应速度，故如果刻蚀不够则可适当提高反应温度，反之亦然。当药液寿命（Quality）到后，需更换整槽药液。 刻蚀槽的作用： 边缘刻蚀，除去边缘PN结，使电流朝同一方向流动。 Alkaline Rinse：碱洗槽 。 所用溶液为KOH，主要工艺参数： Firstfill concentration of chemical:5%; Bath lifetime:250hours; Bath processtemperature:22±4 ℃ 当药液寿命（ Bath lifetime ）到后，需更换整槽药液。 碱洗槽的作用： 1.洗去硅片表面多孔硅； 2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。 HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液为HF，主要工艺参数： Firstfill concentration of chemical: HF(5%); Bath ifetime:250hours; Bath processtemperature:22± 4 ℃ 当药液寿命（ Bath lifetime ）到后，需更换整槽药液。 HF酸槽的作用： 1.中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液； 2.去PSG Rinse 1~3为水洗槽； Dryer 2为风刀； 滚轮分三段设定速度，可根据实际情况对滚轮速度进行修正。 基本的工艺调整原则、设备维护内容，注意事项都同于前清洗设备。 补液:自动补液：当单面刻蚀深度在0.8± 1.6μm范围内时，硅片的腐蚀重量约0.05g/片，通过感应器计数，当跑片达到一定量时，机器自动对刻蚀槽进行补液,其中HF量