MOS-FET选择与耗损计算.pptVIP

MOS-FET的選擇及耗損計算 制作：周滿枝 制表：張明艷 三、MOSFET的主要參數： 結溫對Vgs(th)有影響，大約結溫每升高45℃ ，Vgs(th)下降10％，溫度系數約為6.7mV/℃ . 當環境噪音較低時，可以選用Vgs(th)較低的管子。以降低所需的輸入驅動信號電壓。當環境噪聲較高時，可以選用Vgs(th)電壓較高的管子，以提高抗擾能力。 三、MOSFET的主要參數： Vds 值高，Rds(on)受溫度影響大。Rds(on)與溫度變化近乎有線性關系 三、MOSFET的主要參數： 目前MOSFET的最高工作頻率可以達到兆級.目前必威体育精装版的DirectFET MOSFET IR6607采用了新型的DirectFET封裝,可在2MHz頻率下提供每相30A的電流,效率達77%.(資料來源于《電子工程專輯》2003.1.16) 工作頻率越高,MOSFET的損耗越大,溫升越高. 目前我們大多數Low-power机种的工作頻率為100KHz,頻率的不同,對EMI的影嚮也不一樣,所以我們在調整頻率時,不但要考慮對MOSFET的溫度影嚮,還應考慮對EMI的影嚮. 三、MOSFET的主要參數： 一般說來，影響開關速度的主要因素是器件的輸入電阻Rin和輸 入電容Ciss;輸出電阻Rout和輸出電容Cout.一般以Rin大,Ciss 小;Rout和Cout小的MOSFET為好. 四、MOSFET在SMPS中的應用范圍： Main Power 中的開關晶體。 main transformer MOSFET 四、MOSFET在SMPS中的應用范圍： Stand by 電路中的開關晶體。 standby transformer MOSFET 在該領域裡應用的MOSFET,一般都有以下特點：高的Vds電壓，較大的Idmax及相對比較大的Rds(on). 四、MOSFET在SMPS中的應用范圍： 2.MOSFET 應用在輸出整流中；如： DC-DC 開關變換器的輸出同步整流技術。 可提高整機的效率，降低功能，特別適用於超低壓輸出變換器 （如3.3V，1.3V,1V等），有利於輸出電壓的穩定。 用在同步整流技術中的MOSFET有超低Rds(on),高Id和相對較低的Vds 等特點。 四、MOSFET在SMPS中的應用范圍： 在+3.3V輸出電流比較少（一般10A以下）及效率要求不高的情況下, 我們可以將+5V輸出或另外繞一組線圈整流后經過調節MOSFET Vds的壓降來得到+3.3V輸出.這樣做的优點是電路簡單,价格便宜. 從+5V拉出 MOSFET Power rating: Psw(on) loss Psw(off) loss * 一、MOSFET的分類： MOSFET總體可分為 N-channel MOSFET 和 P-channel MOSFET 兩類，其 電氣符號如下圖1-1。 N-channel MOS 從源極發出載流子電子，P-channel MOS 從源極發出載 流子空穴。兩種類型的MOS在其D-S極間都寄生了一個二極管，稱為體 二極管，體二極管的存在，無論對靜態與動態特性均不可避免有影響， 因