集成电路工艺技术讲座 第十讲 CMOS集成电路工艺技术.pdf

集成电路工艺技术讲座集成电路工艺技术讲座 第十讲 CMOSCMOS集成电路集成电路 工艺技术工艺技术 内容 （一）CMOS工艺概述 （二）2um P阱硅栅CMOS IC工艺流程 （三）先进CMOS IC工艺 （（四四））BiCMOSBiCMOS （（五五））功率功率MOSFET （六）BCD （（一））CMOSCMOS工艺概述工艺概述 •MOSFET的开启电压 •CMOS倒相器 •CMOSCMOS结构中的阱结构中的阱 •LOCOSLOCOS技术技术 MOSFETMOSFET基本方程基本方程 V G V D n+ QQn n+ P Qn(y)=-[Vg-V(y)-2]C +2qNa[2 +V(y)] o dV=I dR=I dy/Z Qn(y) D D II Z/LZ/L CCo{(V{(V- 22-VV /2)/2) VV D G D D 2/3 2/3 - 2/32/3  22qNa/CqNa/C [([(VV + 22 )) - ((22 )) ]}]} o DD BB BB 线性区和饱和区 • V 很小时 V (V- Vt） D D G • I ＝ （Z/L） Co{(V - Vt） V D G D • 其中其中 • Vt=  2qNa（2  ）/C ＋ 2  B o B • V 增加到夹断点时增加到夹断点时 D • I ＝ （Z/2L） Co{(V - Vt）2 DsatDsat GG MOSFET种类 Id • N沟道增强型1 2 1 • N沟道耗尽型2 •• PP沟道增强型沟道增强型33 － ++ • P沟道耗尽型4 0