MOS场效应管特性 (2).pdfVIP

下载本文档

2
0
约3.49万字
约 67页
2019-01-24 发布于浙江
举报
版权申诉

MOS场效应管特性 (2).pdf

1、本文档共67页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第五章MOS 场效应管的特性 5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压 5.3 体效应 5.4 MOSFET 的温度特性 5.5 MOSFET的噪声 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小 5.7 MOS器件的二阶效应 2013/3/28 1 5.1 MOS场效应管 5.1.1 MOS管伏安特性的推导两个PN结：图 5.1 1）N型漏极与P型衬底； 2 ）N 型源极与P型衬底。同双极型晶体管中的PN 结一样，在结周围由于载流子的扩散、漂移达到动态平衡，而产生了耗尽层。一个电容器结构：栅极与栅极下面的区域形成一个电容器，是MOS 管的核心。 2013/3/28 2 MOSFET 的三个基本几何参数 + n / D diffusion t ox + poly-Si p ) G W p L ( n + n S / + p  栅长: L  栅宽: W  氧化层厚度: tox 2013/3/28 3 MOSFET 的三个基本几何参数 Lmin 、Wmin和tox 由工艺确定 Lmin ：MOS工艺的特征尺寸(feature size) 决定MOSFET 的速度和功耗等众多特性 L和W 由设计者选定 通常选取L= Lmin ，由此，设计者只需选取W W影响MOSFET 的速度，决定电路驱动能力和功耗 2013/3/28