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第7章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 顺序存取存储器(SAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.4 只读存储器(ROM) 本章第一次课 要求 半导体存储器的分类：按制造工艺、按存取方式。 存储器的主要性能指标？ 顺序存取存储器（SAM）的特点？ RAM主要由哪3部分构成？ RAM存储单元的分类？ HM6264符号图？ RAM容量扩展：位扩展、字扩展。 7.1概述 7.1.2分类 7.1.3主要技术指标 1、容量 2、存取时间 读周期 写周期 7.4 顺序存取存储器（SAM） 7.2.2动态CMOS移存单元 7.2.3动态移存器和顺序存取存储器（SAM） FIFO型SAM 7.3随机存取存储器（RAM） 7.3.2 RAM存储单元 2、MOS动态存储单元 （2）单管NMOS动态存储单元 7.3.3 HM6264 静态RAM 7.3.4 RAM容量扩展 2006年09月14日 DRAM制造上演纳米级竞赛，奇梦达欲借58nm突破密度极限 业内存制造商Qimonda AG(奇梦达)的工程师日前表示，计划在2006年12月旧金山举行的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，就58纳米DRAM制造工艺技术进行演讲报告。 目前，生产DRAM内存具有实用价值的最先进工艺为70纳米至80纳米范围。三星电子宣称，已经开始在2006年8月使用80纳米工艺批量生产1GB容量DRAM内存。 Qimonda的研究人员预计12月的演讲会上将展示完整的58纳米过程技术，他们曾经用于制造512Mb容量DRAM，工作电压为1.2V和1.35V之间，存取时间支持每通道数据率3.2Gbps。报告摘要显示，这个DRAM技术具有一个扩展的U形单元结构，一种金属绝缘体硅沟状电容，带有不导电的高k门电路，k=2.8的绝缘体用于末端互连。 Qimonda于2006年8月从母公司英飞凌中分离出来，将内存制造业务通过IPO而成立。 课后作业（第1次） P315 2、 3、 4、 5、 本章第2次课 要求 ROM是什么？ ROM的分类？ 各种ROM的特点及应用？ 如何利用ROM实现组合逻辑电路？ 2716的逻辑符号。 7.4 只读存储器(ROM) 2、MOS管固定ROM 7.4.2可编程ROM（PROM） 7.4.3EPROM/EEPROM 2、EERPOM 3、快闪存储器（Flash Memory） 新型的NVRAM FeRAM ：铁电体，铁电电容,读取次数有限制：10的12次方 MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁性内存）：隧道型磁电阻耗电量低，且可高速写入和读取。擦写次数无限制 耗电量低，且可高速写入和读取。 诞生之初就开始逼近SRAM的水平，寻址延迟降到了5ns OUM：写入时通过加热进行数据记录：热改进结晶状态的相变化材料，光盘：反射率变化，OUM：电阻的变化 。擦写次数为10的12次方，缺点是写入时间长 FeRAM 反复写入的耐受性问题： 反复记录，材料产生疲劳，无法区别0和1。 动态压印（Dynamic Imprint）：反复写入相同数据时，产生写入惯性，无法再写入其他数据。 数据保持性能问题： “去极”：随着时间的推移，失去正、负极性，无法读取。 “动态压印”：如长期保持0或1，数据就会烧录上去，从而无法进行擦写。 2006.9.13日经BP社报道 韩国三星电子宣布，针对非挥发性内存--相变内存（PRAM）“开发成功了达实用水平的试制品”。计划08年内供应首批产品，目标是替代NOR型闪存。 　　此次，三星试制的相变内存容量为512Mbit。通过在相变内存中使用该公司DRAM制造中采用的3维结构晶体管而实现。单元面积非常小，只有0.0467μm2。只相当于普通NOR闪存的一半。 　　相变内存在写入新数据时不需要进行擦去原数据的处理。因此，与原来的NOR型闪存相比，数据写入的速度可达30倍。（记者：野泽 哲生）  飞思卡尔：利用4Mbit产品推动MRAM的普及2006.9.21 7.4.4 用ROM实现组合逻辑电路 7.4.5 EPROM集成片简介 课后作业（第2次） P315 6、 8、 出厂时均为1（熔丝未断） 写0： Wi＝1，T导通，Dj加高压，Dz导通，Aw输出0，熔丝熔断，变为0 读出： 数据从AR送出，电平较低，不足以使Dz导通，Aw、Dz对输出无影响 1、EPROM 出厂：全为1 Yj加高压（如＋25V），DS雪崩，Wj加高压脉冲，部分电子?浮栅，浮栅电压0 读出时，Wj的正电压被抵消，MOS管无法导通，为0 擦除： 紫外线照射。 写0： 寿命：擦些数百次，保存10年 出厂：均为1，G1＝3V，T1导通 写入0：Wi＝1，Yj＝0，T