MOSFET 参数理解与导通,功耗分析.pdfVIP

根据电源谷网站文章整理 MOSFET datasheet 参数理解及其主要特性 来源:电源谷 作者:Blash 下文主要介绍 mosfet 的主要参数，通过此参数来理解设计时候的考量 一、场效应管的参数很多，一般 datasheet 都包含如下关键参数： 1 极限参数： I ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。 D 场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。 I ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。 DM PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使 用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升 而有所减额。 VGS ：最大栅源电压。 Tj ：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应 避免超过这个温度，并留有一定裕量。 T ：存储温度范围。 STG 2 静态参数 V ：漏源击穿电压。是指栅源电压 V 为 0 时，场效应管正常工作所能承受 (BR)DSS GS 的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。 它 具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。 △ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃。 R ：在特定的 V （一般为 10V ）、结温及漏极电流的条件下， MOSFET 导通 DS(on) GS 时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率。 此参数一般会随结温度的上升而有所增大。 故应以此参数在最高工作结温条件下的值 作为损耗及压降计算。 V ：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压 V 超过 V 时，漏区和 GS(th) GS GS(th) 源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 I 等于 1 毫安 D 时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。 I ：饱和漏源电流，栅极电压 V =0 、 V 为一定值时的漏源电流。一般在微安 DSS GS DS 级。 I ：栅源驱动电流或反向电流。由于 MOSFET 输入阻抗很大， I 一般在纳安级。 GSS GSS 3 动态参数 g ：跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏 fs 极电流控制能力大小的量度。 g 与 V 的转移关系图如图 2 所示。 fs GS 总 20 页 第１页 根据电源谷网站文章整理 Q ：栅极总充电电量。 MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的 g 建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论 述。 Q ：栅源充电电量。