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华南农业大学期末考试试卷
2009学年第1学期 考试科目:集成电路系统设计基础
考试类型:(开卷) 考试时间: 120 分钟
学号 姓名 年级专业
题号
一
二
三
四
五
总分
得分
评阅人
刘
刘
刘
刘
刘
刘
一、选择题(本大题共10小题,每题2分,总计20分)
1.为了提高集成度 所采取的途径不合适。
A.提高微细加工技术;B. 晶圆大直径化;C. 芯片面积缩小;D. 简化电路结构
2. 发明了世界上第一块集成电路,为此他在2000年获得诺贝尔物理学奖。
A.William B. Shockley B.Walter H. Brattain
C.Jack Kilby D.John Bardeen
3.在图案发生器法中,规定版图基本图形为矩形。每个矩形条用5个参数进行描述,下面不属于矩形条描述参数的是
A.矩形高度H B.矩形宽度W
C.矩形左下角坐标X、Y D.矩形宽度W 所在的直线与X轴夹角A
5.下列集成电路有源器件工艺中,潜在速度最高的是:
A. CMOS B.NMOS C.BiCMOS D.GaAs
6.在 工艺的晶体结构中存在大量可高速迁移的电子即二维电子气。
A.MESFET B.HBT C.HEMT D.MOS
7.硅栅工艺出现后,MOS制作工艺得到了极大的改善,其原因主要是:
A.形成了自对准技术 B.硅栅比铝栅成本低
C.硅栅容易制作; D.器件集成度更高
8.下列半导体集成电路工艺中不属于外延生长工艺的是
A.P-CVD; B. MOVPE; C. MBE D. LPE
9.下列集成电路设计的表示方法中,不属于同类设计方法的是:
A.CBIC; B. GA; C. ISP D. GS
10.集成电路设计的最终输出是:
A.电子产品; B. 电路图; C. 版图 D. 掩模
二、填空题(本大题共10小题,每题2分,总计20分)
1.描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标为: 、 、芯片面积、晶片直径以及封装。
在衬底(或其外延)上制作晶体管的区域称为 区;一种很厚的氧化层,位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域,称为 区。
3.摩尔定律是:?????????????????????????????????????????????????????
??????????????????????????????????????????。
4.IC设计单位不拥有生产线,称为 ,IC制造单位致力于工艺实现,没有IC设计实体,称为 。
6.根据 不同,常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种。
7.IC工艺中的“制版”就是要产生一套分层的版图掩模,为将来进行 ,即将设计的版图转移到晶圆上去做准备。
8.薄层电阻又称方块电阻,其定义为正方形的半导体薄层,在电流方向所呈现的电阻,常用欧姆每方表示。其值直接反映的是 。
9.半导体集成电路薄膜制备的主要工艺有:外延、氧化、 、 。
10.在单位电场强度作用下,载流子的平均漂移速度称为载流子的迁移率[cm2/V?S],它反映了载流子在半导体内作定向运动的难易程度,其值的大小直
接影响 。
三、判断题,正确的在括号内打“√”,错误的打“×”(本大题共10小题,每小题1分,总计10分)
1.在杂质半导体中多子的数量主要与温度有关。( )
2.
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