掺Ge氧化硅薄膜波导制备工艺与应力研究.PDF

第 卷第 期 光 子 学 报 47 12 Vol.47No.12 年 月 2018 12 ACTAPHOTONICASINICA December2018 : / doi10.3788 zx1231003 g 掺 氧化硅薄膜波导制备工艺与应力研究 Ge 1 2 2 1 , , , 孙庆雨 孙喆禹 邢文超 孙德贵 ( , ) 1长春理工大学 理学院 长春 130022 ( , ) 2吉林华微电子股份有限公司 吉林 吉林 130031 : , 摘 要 采用等离子体化学气相沉积法在硅基底上沉积氧化硅薄膜 研究在不同工艺条件下薄膜的应力 , 变化情况和折射率分布规律 利用应力测试仪测定晶圆在镀膜前后的形变量进而获得应力值 并用棱镜 . , 、 , 耦合仪测试薄膜折射率 在其他条件相同的情况下 与 的流量比分别设为 和 时 在 . SiH NO 2427.6 30 4 2 、 , , 波长下薄膜平均折射率分别为 和 对应的晶圆应力向着压应力增加 1539nm 1.46671.4592 1.4557 分别为 、 和 掺入 -7 3/ 后, 与 的流量比分别设 -50MPa-200MPa -430MPa. 8.3×10 m sGeH SiH NO 4 4 2 、 , 、 , 为 和 时 薄膜平均折射率分别为 和 对应的晶圆应力分别为 22.624 27.6 1.47581.4714 1.4633 、 , , 和 是从拉应力向压应力变化的过程 结果表明 与 的流量比 25MPa-210