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TLP250(INV) TLP250(INV) 2002-06-27 PAGE 4 2002-06-27 PAGE 4 东芝光电耦合器 砷化镓铝集成红外光电二极管 TLP250(INV) 晶体反相器 栅极驱动IGBT调节器 大功率MOSFET栅极驱动 东芝TLP250(发票)由GaAlAs发光二极管和集成的光电探测器. .本芯片是8脚DIP封装 TLP250(INV) 适用于栅极驱动的IGBT管和大功率MOSFET管 输入阈值电流 : IF=5mA(最大) 电源电流(ICC) : 11mA(最大) 电源电压(VCC) : 10~35V 输出电流(IO) : ±2.0A(最大) 开关转换时间(tpLH/tpHL) : 0.5μs(最大) 隔离电压 : 2500Vrms UL 认证 : UL1577,E67349号文件 期权(D4) VDE 核准 : 德标 VDE0884/06.92 76823号证书 最大绝缘工作电压 : 630VPK 允许的最高过电压: 4000VPK (注):当需要一个VDE0884认可类型, 请指定命名为 “期权(D4)” 爬电距离 : 6.4mm(最小) 空隙 : 6.4mm(最小) 单位 mm 东芝 11?10C4 重: 0.54 g TRUTH TABLE 记录 1记录 2输入 记录 1 记录 2 输入 LED 开 开 关 关 关 开 1:空置. １ ８ ２ ７ ３ ６ ４ ５ 2: 正极 3:负极 4:空置. 5:地 6: 电压输出 7:电压输出 8:电源 SCHEMATIC IF 2 + VF ICC （Tr1）  VCC 8 VO ７ 3 - VO 一个0.1uF的旁路电容应该和8脚和5脚连接起来（见注释5） IO （Tr２） 6 5 GND . 极限工作范围 (工作温度=25°C时) 典型参数 符号 极限值 单位 LED 正向电流 IF 20 mA 正向电流变化率 (工作温度≥70℃) ?IF /?Ta ?0.36 mA /°C 浪涌电流 (注释1) IFPT 1 A 反向电压 VR 5 V 节点温度 Tj 125 °C 探测器 “H” 峰值输出电流 脉冲宽度 ≤2.5μs , 频率≤15 kHz (注释2) IOPH ?1.5 A 脉冲宽度≤1.0μs , 频率≤15 kHz ?2.0 “L” 峰值输出电流 脉冲宽度≤2.5μs , 频率≤15 kHz IOPL +1.5 A 脉冲宽度 ≤1.0μs , 频率≤15 kHz +2.0 输出电压 (工作温度≤70°C) VO 35 V (工作温度=85°C) 24 供电电压 (工作温度≤70°C) VCC 35 V (工作温度=85°C) 24 输出电压变化率(工作温度≥70°C) ?VO /?Ta ?0.73 V /°C 供电电压变化率(工作温度≥70°C) ?VCC /?Ta ?0.73 V /°C 节点温度 Tj 125 °C 工作频率 （注释3) f 25 kHz 工作温度范围 Topr ?20~85 °C 存储温度范围 Tstg ?55~125 °C 引脚焊接温度(10s) Tsol 260 °C 隔离电压 (交流,1分钟., 相对湿度 ≤60%,工作温度=25°C) (注释4) BVS 2500 V（有效值） (注释1) : 脉宽≤1μs,300pps (Note 2) : 浪涌 (注释3) : 浪涌波形 IOPH≤?1.0A (≤2.5μs) , IOPL≤+1.0A (≤2.5μs) (注释 4) : 双端驱动 : 1,2,3 ,4 脚短接 ；5,6,7 ,8 脚短接. (注释5): 用一个0.1μF陶瓷电容应该连接在8脚和5脚之间来获得稳定的放大增益。. 错误的走线（绕线）可能会 削弱开关的性能。电容和耦合器之间的总长度不能超过 1cm。 建议工作条件 典型参数 符号 最小值 典型值. 最大值 单位 开关打开时的输入电流 IF (ON) 7 8 10 mA 开关关断时的输入电压 VF (OFF) 0 — 0.8 V 供给电压 VCC 15 — 30 20 V 峰值输出电流 IOPH / IOPL — — ±0.5 A 工作温度 Topr ?20 25 70 85 °C 电特性 (工作温度 = ?20~70°C,除另有规定外) 典型参数 典型参数 符号 测试回路 测试条件 最小值 典型值. 最大值 单位 正向输入电压 VF — IF = 10 mA, Ta = 25°C — 1.6 1.8 V 正向电压下的温度系数 ?V /?Ta — I = 10 mA — ?2.0 — mV /°C 反相输入电流 IR — VR = 5 V, Ta = 25°C — — 10