电子束曝光EBL培训教材.ppt

邻近效应的校正 剂量校正：由于电子束散射，同一图形在同一剂量下曝光的能量分布式不同的，需要人为的改变曝光剂量。 将图形进行几何分割，计算每一部分能量的分布（每一点能量的分布符合双高斯函数），按照不同的区域分配曝光剂量。 缺点：计算复杂，需要CAPROX等专业软件； 计算假设每一图形内部剂量一致，误差存在 图形尺寸校正：通过改变尺寸来补偿电子散射造成的曝光图形畸变。 邻近效应的校正 缺点：校正的动态范围小 1）稳定的工作环境：温度变化范围±0.2℃，振动2um以下，磁场变化在0.2uT以下。 2）高的电子束能量：高能量电子束产生的电子散射小，色差与空间电荷效应抵消，且有利于曝光厚的抗蚀剂层。高档次的电子束曝光机一般都在100keV。 3）低束流：低束流可以减小空间电荷误差，有利于获得更小的束斑。束流低会增加曝光时间，会使聚焦标记成像亮度降低，使对焦困难。 4）小扫描场：电子束曝光系统的偏转相差与扫描场大小有关，高分辨率应尽量使用小扫描场。 5. 电子束曝光的极限分辨率 电子束曝光100nm的微细图形很容易制出，但是小于50nm的图形却不是轻易能够实现的。电子束的极限分辨率与多个因素有关： 5）低灵敏度抗蚀剂：20nm以下的电子束曝光全部使用低灵敏度的抗蚀剂，例如PMMA等。 6）薄抗蚀剂层：减小抗蚀剂层可以减小散射，降低临近效应。 7）低密度图形：可以比较容易实现20nm的单一线条图形，却无法或很难实现20nm等间距的线条图形。 8）低密度、高导电性衬底材料：高密度的衬底材料产生的散射电子多，临近效应强；衬底导电性不好会产生电荷积累效应，影响曝光图形的精度。 电子束散射示意图 200nm 41nm台阶 77nm多边形 中灵敏度抗蚀剂 高灵敏度抗蚀剂 低灵敏度抗蚀剂 电子束曝光 金属镀膜 溶脱剥离 6. 多层抗蚀剂工艺 谢谢！ 2019 ppt资料 * 谢谢您的聆听！ 欢迎批评指导！！ 1 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室 1 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEER