电子电路习题.docx

项目一习题 选择题 1. 半导体导电的载流子是 C ，金属导电的载流子是 A 。 A．自由电子 B．空穴 C．自由电子和空穴　　 　Ｄ．原子核 2. 在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是 A 型半导体。 A. P B. N C. PN D. 电子导电 纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是 B 型半导体。 A. P B. N C. PN D. 空穴导电 N型半导体多数载流子是 B ，少数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是 A ，少数载流子是 B 。 A．空穴 　 B．电子　　　　Ｃ．原子核　　　 Ｄ．中子 5. 杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ，少数载流子浓度取于 B 。 A．反向电压的大小 B．环境温度 C．制作时间 D．掺入杂质的浓度 6. PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的 A ，负端应接PN结 B 。 A．P区 B．N区 7. 二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。 A．反向电压的大小 B．环境温度 C．制作时间 D．掺入杂质的浓度 8．二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。 A．VD-ID B．VD-rD C．ID-rD D．f-ID 9．用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的 A 。 A．正极 B．负极 C．无法确定 10．三极管的主要特征是具有 C 作用。 A．电压放大 B．单向导电 C．电流放大 D．电流与电压放大 11．三极管处于放大状态时 A 。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结正偏，集电结正偏 C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏 12．NPN三极管工作在放大状态时，其两个结的偏置为 A 。 A．UBE0、 UBEUCE B． UBE0、 UBEUCE C．UBE0、 UBEUCE D． UBE0、 UCE0 13．对于PNP型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足 D 。 A．UCUBUE B．UCUBUE C．UBUCUE D．UBUCUE 14．对于NPN型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足 D 。 A．UCUBUE B．UCUBUE C．UBUCUE D．UBUCUE 15．共射输入特性曲线反映三极管 D 关系的特性曲线。 A．UCE与IB B．UCE与IC C．UBE与IC D．UBE与IB 16．共射输出特性曲线反映三极管 B 关系的特性曲线。 A.UCE与IB B.UCE与IC C.UBE与IC D.UBE与IB 二． 填空题 半导体材料中有两种载流子，即 电子 和 空穴 。 杂质半导体按导电类型分为 N型半导体 和 P型半导体 。 N型半导体多子是 电子 ；P型半导体多子是 空穴 。 PN结的基本特点是具有 单向导电 性，PN结正向偏置时 导通 ，反向偏置时 截止 。 二极管的伏安特性有 正向特性 、 反向特性 和 反向击穿 特性。 二极管的反向电流随外界温度的升高而 增大 ；反向电流越小，说明二极管的单向导电性 越好 。一般硅二极管的反向电流比锗管 大 很多。 二极管处于反偏时，呈现电阻 无限大 。 三极管是一种 电流 控制器件。 三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结 正向 偏置；集电结 反向 偏置。 三极管起放大作用时的内部要求是：基区 掺杂浓度低且薄 ；发射区 掺杂浓度高 ；集电 面积大 。 三极管具有电流放大作用的实质，是利用 基极 电