应变ZnO光学和电学特性的第一性原理计算-硅酸盐学报.PDF

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第43 卷第4 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 43 ,No. 4 2 0 1 5 年 4 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY April ,2015 DOI :10.7521/j.issn.0454-5648.2015.04.09 应变ZnO 光学和电学特性的第一性原理计算 1,2 1 1 1 1 乔丽萍 ,柴常春 ,于新海 ,杨银堂 ,刘 阳 (1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071 ; 2. 西藏民族学院信息工程学院,陕西 咸阳 712082) 摘 要:基于应变张量理论,建立未应变ZnO 与不同Mg 组分表征的应变ZnO/Zn Mg O 超胞模型,进而采用密度泛函理论 1–x x 框架的第一性原理平面波规范-守恒赝势方法,研究应变ZnO 的电学和光学特性。计算结果表明,导带电子有效质量随应力 增加而稍有增加;“重空穴”带和“轻空穴带” 的空穴有效质量几乎未受到应力的影响,而场致分裂带空穴有效质量随应力增加 而明显减小,该结果与KP 法计算结果一致。光学特性研究表明,在23~40 eV 高能段,由于应变ZnO 的反射率和吸收值均 小于未应变ZnO 的反射率和吸收值,表明应变ZnO 在高能段平均光透射率增加。 关键词:氧化锌;第一性原理;应变;分裂能;有效质量;反射率 中图分类号:O413 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2015)04–0424-07 网络出版时间:2015–04–01 16:15:06 网络出版地址:/kcms/detail/11.2310.TQ1615.006.html First-Principles Calculations of Electrical and Optical Properties of Strained ZnO 1,2 1 1 1 1 QIAO Liping , CHAI Changchun , YU Xinhai , YANG Yintang , LIU Yang (1. Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xian 710071, China; 2. School of Information Engineering, Tibet University for Nationalities, Xianyang 712082, Shanxi, China) Abstract: The supercell modules of unstrained and strained ZnO were established based on the theories of strain tensor, in which the magnitude of stress was determined by Mg co

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