InP基RTD太赫兹振荡源及其应用研究进展.PDF

第 16 卷 第 1 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1 . 16，No.1 2018 年 2 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Feb.，2018 文章编号：2095-4980(2018)01-0001-06 InP 基 RTD 太赫兹振荡源及其应用研究进展 石向阳 a,b ，苏 娟 a,b ，谭 为 a,b ，张 健 a,b ( 中国工程物理研究院 a. 电子工程研究所，四川 绵阳 621999 ；b.微系统与太赫兹研究中心，四川 成都 610200) 摘 要 ：紧凑和相干的太赫兹源是太赫兹应用的关键组成，共振隧穿二极管(RTD)是目前振荡 频率最高的电子学器件，RTD太赫兹振荡源具有结构紧凑、功耗低、室温工作、有一定输出功率、 易集成、覆盖频率较宽等优点。InP基RTD太赫兹振荡源在600 GHz左右的频段内输出功率可达百微 瓦量级，可见报道的最高振荡频率为1.92 THz ，输出功率0.4 μW 。RTD振荡源的输出功率可以通过 偏置电压进行直接调制，使得其在高容量短距离的太赫兹通信系统中具有很大的优势。目前，InP 基RTD太赫兹振荡源成为太赫兹源领域的研究热点。 关键词 ：共振隧穿二极管；太赫兹源；振荡器；太赫兹通信 中图分类号 ：TN43 文献标志码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201801.0001 Research progress of InP-based resonant tunneling diode terahertz oscillator and its various applications a,b a,b a,b a,b SHI Xiangyang ，SU Juan ，TAN Wei ，ZHANG Jian (a.Institute of Electronic Engineering，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China; b.Microsystem Terahertz Research Center，China Academy of Engineering Physics，Chengdu Sichuan 610200，China) Abstract： Compact and coherent source is a key component for various applications of terahertz(THz) wave. Resonant Tunneling Diode(RTD) has been considered as candidates for THz oscillators under room temperature, because it is the electronic device with the highe st oscillating frequency at present. RTD THz oscillation is of great advantages of compa