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钨灯丝、冷场、热场扫描电镜的区别
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? ??扫描式电子显微镜,其系统设计由上而下,由电子枪 ?(Electron Gun)? 发射电子束,经过一组磁透镜聚焦 ?(Condenser Lens)? 聚焦后,用遮蔽孔径 ?(Condenser Aperture) ?选择电子束的尺寸(Beam Size)后,通过一组控制电子束的扫描线圈,再透过物镜 ?(Objective Lens)? 聚焦,打在样品上,在样品的上侧装有讯号接收器,用以择取二次电子 ?(Secondary Electron) ?或背向散射电子 ?(Backscattered Electron)? 成像。
电子枪的必要特性是亮度要高、电子能量散布 ?(Energy? Spread)? 要小,目前常用的种类计有三种,钨(W)灯丝、六硼化镧(LaB6)灯丝、场发射 ?(Field Emission),不同的灯丝在电子源大小、电流量、电流稳定度及电子源寿命等均有差异。
??? 热游离方式电子枪有钨(W)灯丝及六硼化镧(LaB6)灯丝两种,它是利用高温使电子具有足够的能量去克服电子枪材料的功函数
(work function)能障而逃离。对发射电流密度有重大影响的变量是温度和功函数,但因操作电子枪时均希望能以最低的温度来操作,以减少材料的挥发,所以在操作温度不提高的状况下,就需采用低功函数的材料来提高发射电流密度。
??? 价钱最便宜使用最普遍的是钨灯丝,以热游离 ?(Thermionization)? 式来发射电子,电子能量散布为 ?2 eV,钨的功函数约为 4.5eV, 钨灯丝系一直径约 100μm,弯曲成 V 形的细线,操作温度约 2700K,电流密度为 1.75A/cm2,在使用中灯丝的直径随着钨丝的蒸发变小,使用寿命约为 40~80 小时。
??? 六硼化镧(LaB6)灯丝的功函数为 2.4eV,较钨丝为低,因此同样的电流密度,使用 LaB6 只要在 1500K 即可达到,而且亮度更高, 因此使用寿命便比钨丝高出许多,电子能量散布为 ?1 ?eV,比钨丝要好。但因 LaB6 在加热时活性很强,所以必须在较好的真空环境下操作,因此仪器的购置费用较高。
?? 场发射式电子枪则比钨灯丝和六硼化镧灯丝的亮度又分别高出 ?10 - 100? 倍,同时电子能量散布仅为 ?0.2 - 0.3 eV,所以目前市售的高分辨率扫描式电子显微镜都采用场发射式电子枪,其分辨率可高达 ?1nm ?以下。
??? 目前常见的场发射电子枪有两种:冷场发射式(cold field emission , FE),热场发射式(thermal field emission ,TF) 当在真空中的金属表面受到 108V/cm 大小的电子加速电场时,会有可观数量的电子发射出来,此过程叫做场发射,其原理是高 电场使电子的电位障碍产生 Schottky 效应,亦即使能障宽度变窄,高度变低,因此电子可直接穿隧通过此狭窄能障并离开阴极。场发射电子系从很尖锐的阴极尖端所发射出来,因此可得极细而又具高电流密度的电子束,其亮度可达热游离电子枪的数百倍,或甚至千倍。
??? 场发射电子枪所选用的阴极材料必需是高强度材料,以能承受高电场所加诸在阴极尖端的高机械应力,钨即因高强度而成为较佳的阴极材料。场发射枪通常以上下一组阳极来产生吸取电子、聚焦、及加速电子等功能。利用阳极的特殊外形所产生的静电场,能对电子产生聚焦效果,所以不再需要韦氏罩或栅极。第一(上)阳极主要是改变场发射的拔出电压(extraction voltage),以控 制针尖场发射的电流强度,而第二(下)阳极主要是决定加速电压,以将电子加速至所需要的能量。
????要从极细的钨针尖场发射电子,金属表面必需完全干净,无任何外来材料的原子或分子在其表面,即使只有一个外来原子落在表面亦会降低电子的场发射,所以场发射电子枪必需保持超高真空度,来防止钨阴极表面累积原子。由于超高真空设备价格极为高昂,所以一般除非需要高分辨率 SEM,否则较少采用场发射电子枪。
??? 冷场发射式最大的优点为电子束直径最小,亮度最高,因此影像分辨率最优。能量散布最小,故能改善在低电压操作的效果。为避免针尖被外来气体吸附,而降低场发射电流,并使发射电流不稳定,冷场发射式电子枪必需在 10-10 torr 的真空度下操作,虽然如此,还是需要定时短暂加热针尖至 ?2500K(此过程叫做 ?flashing),以去除所吸附的气体原子。它的另一缺点是发射的总电流最小。
??? 热场发式电子枪是在 1800K 温度下操作,避免了大部份的气体分子吸附在针尖表面,所以免除了针尖 flashing 的需要。热式能维持较佳的发射电流稳定度,并能在较差的真空度下(10-9 torr)操作。虽然亮度与冷式相类似,
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