共掺杂BST铁电厚膜的制备及其上转换发光.PDF

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2019-03-15 发布于天津
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年第期( )卷０３１４８２０１５３４６文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１５０３Ｇ０３１４８Ｇ０５３＋/ ３＋共掺杂铁电厚膜的制备及其上转换发光∗ Yb Tm BST １２１ , , 汪竞阳章天金屈少华 ( , ; , ) １．湖北文理学院物理与电子工程学院湖北襄阳４４１０５３２．湖北大学材料科学与工程学院武汉４３００６２ : ３＋/ ３＋ , 摘要利用丝网印刷工艺制备出稀土现代半导体加工工艺相兼容所以采用厚膜基质材料　　 Yb Tm , 、特别适合加工制备厚度在集成光电器共掺杂的 Ba Sr TiO 铁电陶瓷厚膜利用 XRD １０~１００ m ０．８０．２３ μ [１２Ｇ１３] 、、和荧光光谱仪研究了稀土掺杂对件 .因此本文应用丝网印刷工艺在氧化铝衬底上 SEM EDSRaman . , 制备了稀土３＋/ ３＋共掺杂的厚厚膜微结构和发光性能的影响实验发现在低掺杂 Yb Tm Ba Sr TiO ０．８００．２０３３＋３＋、 , . 量时离子在晶格中首先替代位离膜报道了厚膜的微结构及其上转换发光特性 Yb Tm BST B , . 子高掺杂量时则同时占据位和位离子掺杂后 A B 实验２　　 . 的厚膜仍表现为典型的铁电四方相结构在８００nm ３＋ , 、近红外激光激发下共掺杂的BST厚膜中的Tm 离２．１　YbTm共掺杂BST铁电厚膜的制备３＋、、、子通过离子的敏化作用在与处实现