电光型有机硅聚合物的合成表征.pdf

电光型有机硅聚合物的合成与表征 昊水珠，曾钫，李风仙，郗洪源，李锐锋 华南理工大学高分子系，广州，510640 电光型聚合物，尤其是侧基带有非线性发色团的电光型聚合物，易于加工成型、成 膜．可以用以制各出较大面积的高分子膜，具有较好的电光特性、很好的机械性能和高的 光学破坏阻抗，有广阔的应用前景In21。本文报道侧基带有非线性光学发色团(分散红1) 的有机硅电光聚合物的台成及其表征。 通过硅氢加成反应13I制得聚【甲基3-(9．咔唑基)丙基硅氧烷1(试样A)。通过溴化反应 Ⅲ期得聚f甲基3州．(3，6．二溴咔唑基))丙基硅氧烷](试样B)。通过分散红l的取代反应制 DRX一400核磁共振潜仪测 得佣基带有分教红l的有机硅电光聚合物(试样C)。用Broker RFX-65 量样品的核戳共振谱。红外光谱利用Analect FT-IR红外光谱仪进行测量。DSC利 用Perldn—Elmer3示差扫描量热仪进行测定，升温速率为10。C／rain(氮气氛围F)。元素分 Co．，德国)上进行测试。 析在CHN．O快速元素分析仪(Heraeus MH 围1是聚合物的核磁共振谱(1HNMR，400z，CDCl、)。谱图中基本不存在Si—H的 质子峰。由谱线(1)可见咔唑基上的芳环 20一7．52 质子峰位于7 ppm及8．05— 8．25 脚n、jJ、 ^f．．^伙ppm。紧邻si的甲基和亚甲墓质子 5 45to_0．1 峰分别位于_o ppm平¨0．20— O．45 ppm。与氮原子相邻的伍平¨8位的亚 甲基质子峰分别位于3．00—4．20 ppm年¨ 1．40—1．7 ppm。谱线㈣为试样B的谱 线。可见咔唑基上的芳环质子峰位r 8．25—8．55 50 ppm、7．25—7ppm及7．OO 一7．25 (i) ppm。紧邻Si的甲基平¨币甲基质 子峰位置大体与谱线(j)中的一致。谱线 (m表示侧链带有分散红1的有机硅电 光聚合物．可见分散红1基团中的偶氯