模拟电子技术三极管详解.pptVIP

iC ? 0 iC = VCC /RC 例 2.3.1 设 RB = 38 k?，求 VBB = 0 V、3 V 时的 iC、uCE。 + – RB RC + uCE – + uBE ? + – VCC VBB 3V 5V iB iC 1 k? [解] uCE/V iC/mA iB= 0 10 ?A 20 ?A 30 ?A 40 ?A 50 ?A 60 ?A 4 1 O 2 3 5 当VBB= 0 V： iB ? 0， iC ? 0， 5 V uCE ? 5 V 当VBB = 3 V： 0.3 uCE ? 0.3 V ? 0， iC ? 5 mA 三极管的开关等效电路 截止 状态 S B C E VCC + ? RC RB iB ? 0 uCE ? 5V iB 饱和 状态 uCE ? 0 判断是否饱和 临界饱和电流 ICS和IBS ： iB IBS，则三极管饱和。 第 2 章　半导体三极管 例 2.3.2 耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 M?，RS = 2 k?，RD= 12 k? ，VDD = 20 V。IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，求 iD 和 uO 。 ? iG = 0 ? uGS = ? iDRS iD1= 4 mA iD2= 1 mA uGS = – 8 V UGS(off) 增根 uGS = – 2 V uDS = VDD – iD(RS + RD) = 20 – 14 = 6 (V) uO = VDD – iD RD = 20 – 14 = 8 (V) 在放大区 RD G D S RG RS iD + uO – + VDD – 第 2 章　半导体三极管 2.3.2 交流分析 一、图解分析法 线性 非线性 线性 输入回路 (A 左) (B 右) 输出回路 (B 左) (A 右) + – RB RC + uCE – + uBE ? + – VCC VBB iB iC iB iC + uBE ? + uCE – A B 第 2 章　半导体三极管 例 2.3.3 硅管，ui = 10 sin ?t (mV)，RB = 176 k?， RC = 1 k?， VCC = VBB = 6 V，图解分析各电压、电流值。 [解] 令 ui = 0，求静态电流 IBQ uBE/V iB/?A O 0.7 V 30 Q ui O t uBE/V O t iB IBQ (交流负载线) uCE/V iC/mA 4 1 O 2 3 iB=10 ?A 20 30 40 50 50 5 Q 6 直流负载线 Q? Q? 6 O t iC ICQ UCEQ O t uCE/V Ucem ib ic uce RL + – iB iC RB VCC VBB RC C1 ui + – + – + uCE ? + uBE – 第 2 章　半导体三极管 当 ui = 0 uBE = UBEQ iB = IBQ iC = ICQ uCE = UCEQ 当 ui = Uim sin ?t ib = Ibmsin ?t ic = Icmsin ?t uce = –Ucem sin ?t uo = uce iB = IBQ + Ibmsin ?t iC = ICQ + Icmsin ?t uCE = UCEQ – Ucem sin ?t = UCEQ +Ucem sin (180° – ?t) uBE/V iB/?A 0.7 V 30 Q ui t uBE/V t iB IBQ (交流负载线) uCE/V iC/mA 4 1 2 3 iB=10 ?A 20 30 40 50 60 5 Q 6 直流负载线 Q? Q? 6 t iC ICQ UCEQ t uCE/V Ucem ib ic uce O O O O O O 第 2 章　半导体三极管 基本共发射极 电路的波形： + – iB iC RB VCC VBB RC C1 ui + – + – + uCE ? + uBE – IBQ ui O t iB O t uCE O t uo O t iC O t ICQ UCEQ 基本放大电路的放大作用 第 2 章　半导体三极管 放大电路的非线性失真问题 　　因工作点不合适或者信号太大使放大电路的工作范围超出了晶体管特性曲线上的线性范围，从而引起非线性失真。 1. “Q”过低引起截止失真 NPN 管： 顶部失真为截止失真。 PNP 管： 底部失真为截止失真。 不发