GB/T 11071-2018区熔锗锭.pdf

ICS 77 .1 50 H 66 国 中华人民共和国国家标准 G!J/T 11071-2018 代替 GB/T ll071 2006 区 熔 链 错 Zone-refined germanium ingot 2018-12-28 发布 2019-07-01 实施 国家市场监督管理总局峪非 中国国家标准化管理委员会 0(.. I (J GB/ T 1107 1-20 18 目lj 昌 本标准按照 GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。 本标准代替 GB/T 11071-2006《区熔错健儿与 GB/T 11071-2006 相比，除编辑性修改外主要技 术变化如下： 范围进一步明确为“本标准适用于以还原错链及错单晶返料为原料， 经区熔提纯工艺制备得到 的区熔错链。 ZGe-0 区熔错键主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶；ZGe-1 区熔错链主要用于制备红外光学用的错单晶、太阳能电池用的错单晶及各类锚，锚、错－硅合金 等”（见第 1 章）。 一一增加了区熔错键在（23 土0. 5）℃下电阻率的要求（见 3. 2） 。 “同一根错链的最大与最小截面面积之差不大于平均截丽而积的 15 %”修改为“同一根区熔错 链的头尾两端的高度差不大于4 mm”（见 3 . 3 ,2006 年版的 3 . 3） 。 一一“链长 100 mm~ 500 mm”修订为“长度应不小于 100 mm”（见 3. 3,2006 年版的 3. 3） 。 一一增加｜了区熔错链的表面应无孔洞的要求（见 3.4 ,2006 版的 3.4） 。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC 243）归口。 本标准起草单位：云南l临沧鑫困错业股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司、中错科技有限 公司、衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司、广东先导稀材股份有限公司、锡林郭勒通力错业有限责任公 司、云南东昌金属加工有限公司。 本标准主要起草人： 包文东、普世坤、李贺戚、冯德伸、惠峰、范德胜、朱知国、李正美、董汝昆、朱刘、 尹士平、王晓华。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/ T 11071 1 989 、 GB/T 11071 2006 。 I G B/ T 1 107 1-20 18 区熔错徒 1 范围 本标准规定了区熔错链的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单 （或合同）内容。 本标准适用于以还尿错键及错单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到的区熔错链。 ZGe-0 区 熔错链主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶；ZGc-1 区熔错键主要用于制备红外光学 和太阳能电池用的错单晶及各类锚’锚、锚，硅合金等。 2 规