GB/T 4059-2018硅多晶气氛区熔基磷检验方法.pdf

ICS 77 .040 H 17 国； 中华人民共和国国家标准 G吕／T 4059-2018 代替GB/T 40 59- 2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere 2018-12-28 发布 2019-11-01 实施 国家市场监督管理总局峪非 中国国家标准化管理委员会 0(.. I (J GB/ T 4059-2018 目U 昌 本标准按照GB/T 1. 1-2009 给出的规则起草。 本标准代替GB/T 4059-2007《硅多晶气氛区熔基磷检斡方法》， 与 GB/T 4059-2007 相比，｜综编 辑性修改外，主要技术变化如下： 基磷含量的测定范围由6飞002 × 10-9 ～100 ×10-9 ”修改为“0. 01 ×1013 cm-3 ~ 500 × 1013 cm-3 （见第 1 章，2007 年版的第 1 章）； 一一一调整了规范性引用文件，删除了 GB/T 1553 、 GB/T 1554 、 GB/T 1555、 GB/T 13389，增加了 GB/ T 1 550 、 GB/T 4060、 GB/T 4842 、 GB/T 8979 、 GB/T 11446. 1-2013 、 GB/T 24574、 GB/ T 24581 、 GB/T 25915. 1-2010 （见第 2 章， 2007 年版的第 2 章）； 一一修改了样芯的定义，删除了“空心钻头”（见 3. 3,2007 年版的 3 . 3); －一修改了方法 A 和方法B 的方法原理表述（见4.1 、4. 2 ,2007 年版的4. 1 、 4. 2); 干扰因素中酸洗和区熔操作的环境修改为“不低于 GB/T 25915 . 1 201 0 规定的 6 级洁净环 境”〔见 5 . 3,2007 年版的第5 章c) J ; 一一干扰因素中增加了样品处理过程、区熔速度、硅芯等 3 项对测试结果有影响的因素（见 5. 4、 5. 6 、 5. 7); 一一删除了干扰因素中关于区熔后硅单品棒、测试环境的要求［见 2007 年版的第 5 章。、第 5 章 g) ] ; 修改了试剂和材料中去离子水、氧气的要求（见 6. 3 、 6.4 , 2007 年版的 6. 3 、 6. 5 ); 试剂和材料增加了氮气的要求（见 6. 5); －一修改了试剂和材料中籽， 品的要求，由“n 型电阻束不低于500 0 · cm 的籽， 晶”修改为“籽晶应为 元位错的 N 型011） 高阻硅单品，，日施主杂质含量（原子数）小于2. 5 ×1012 cm 3 ，碳含量（原子 数）小于 5 ×1015 cm 勺品向偏离度小于5。”（见 6. 6 , 2007 年版的 6. 1 ); 一一对仪器设备中的“取芯设备”增加了要求 ［见 7. 1,2007 年版的第 7 章a) ] ; 一一“真空内热式区熔炉”改为“内热式区