GB/T 1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法.pdf

ICS 77 .040 H 21 国； 中华人民共和国国家标准 GB/T 1550-2018 代替 GB/T 1550- 1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 Test methods for conductivity type of extrinsic semiconducting m aterials 2018-12-28 发布 20 19-11-01 实施 国家市场监督管理总局啦舍 中国国家标准化管理委员会 ＆叩 GB/ T 1550-20 18 目u 昌 本标准按照GB/T 1. 1-2009 给出的规则起草。 本标准代替GB/T 1550-1997《非本征半导体材料导电类型测试方法机与 GB/T 1550-1997 相比 主要技术变化如下： 适用范围修改为“本标准适用于硅、错非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体 材料可参照本标准测试”（见第 1 章，1997 年版的第 1 章）； 一一一增加了术语和定义（见第 3 章） ； 一一将原标准的 1.2～1.9 修改为“4.1 总则”（见 4.1,1997 年版的 1. 2～1. 9); 一一修改了方法A、方法 D1 、方法 D2 的适用范围（见4.1.2 、4. 1.5,4.1.6,1997 年版的 1. 3、1. 6 、 1. 7) ; 增加了方法E（表面光电压法）测试导电类型（见4.1. 7 、4. 5 、 5. 5 、 7.6 、9. 5); 增加了“如果采用 9 . 1 ～9. 5 的测试步骤能够获得稳定的读数和良好的灵敏度， Y！”表明试样表 面元；自污或氧化层。 如果读数不稳定或灵敏度差，则表明试样表面已被沾污或有氧化层，可采 用 8. 2 中的方法对试样表面进行处理。 ”（见 9. 6) ; 一一增加了试验结果的分析（见第 10 章）。 本标准向全同半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203 ）与全同半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC 203/ SC 2）共同提州井归口。 本标准起草单位： 乐山市产品质量监督检驹所、中国计量科学研究院、广州市昆德科技有限公司、瑟 米莱伯贸易（上海）有限公司、浙江海纳半导体有限公司、新特能源股份有限公司、江苏中能硅业科技发 展有限公司、峨崛半导体材料研究所、洛阳中硅高科技有限公司、中错科技有限公司、云南冶金云芯硅材 股份有限公司、江西赛雏 LDK 太阳能高科技有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司。 本标准主要起草人： 梁洪、王莹、赵晓斌、高英、王昕、王飞尧、黄黎、徐红毒、邱艳梅、刘晓霞、杨旭、 张同同、刘新军、徐远志、程小娟、潘金平、肖宗杰。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： 一一－GB 1550-1979 、 GB/T 1550- 1997; 一一－GB 5256-1985 。 I GB/ T 1550-2018 9.4.4 如果用方法D1 不能进行测试， 应改用热电势法D2 进行测试。 将探钊按罔7 所示连接好，3 号探 专｜靠近热源。 热抑、是由 1 号、2 号探钊间通人电流的方法产生的。 将 3 号探钊接到零位指示器的负极