半导体三极管的参数.pptVIP

2.1.5 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。 2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ? ②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置 在放大区? 值基本不变，可在共射接法输出 特性曲线上，通过垂 直于X 轴的直线求取 ?IC/?IB。或在图02. 08上通过求某一点的 斜率得到?。具体方 法如图02.10所示。 2.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，≈?、≈?，可以不加区分。 (3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM 如图02.08所示，当集电极电流增加时，? 就 要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％ 时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。至于?值下降多少，不同型号的三极管， 不同的厂家的规定有 所差别。可见，当 IC＞ICM时，并不表 示三极管会损坏。 图02.08 值与IC的关系 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 ③反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电 压的能力，其测试时的原理电路如图02.11所示。 图02.11 三极管击穿电压的测试电路 1.V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。 图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 * * (1)直流参数 ①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 图02.08 值与IC的关系 图 02.07 在输出特性曲线上决定 2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示。 (2)交流参数 ①交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?vCE=const 图02.10 在输出特性曲线上求β ②特征频率fT 三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与 工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 2.V(BR) EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。 3.V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。 对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 V(BR)CBO≈