LED晶片制作过程(行业必备).pptVIP

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2019-03-26 发布于浙江
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LED晶片制作过程(行业必备).ppt

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LED芯片 LED的基本概念及发光原理 LED芯片工艺 LED制程工艺（1） — P 面蒸镀 LED制程工艺（2） — N面蒸镀 LED制程工艺（3） — 电极制作（A） LED制程工艺（3） — 电极制作（B） LED制程工艺（4） — 切割 SIZE LED制程工艺初步统计及小结相关设备（续）（续）（续）（续） LED颜色跟材料之间关系现有芯片的颜色对应的波長紫光波长: 370-385nm 藍光波長: 450-470nm 綠光波長: 510-530nm 紅光波長: 620-630nm 黃光波長: 580-595nm LED芯片的发展（1） — 外观结构 LED芯片的发展（2） — 镀层、衬底大功率芯片是LED主流发展 — 常用结构什麼是大功率芯片一、尺寸： 1、24mil * 24mil 2、27mil * 27 mil 3、30mil *30 mil 4、40mil * 40mil 5、45mil * 45mil 6、60mil * 60 mil 二、电流： 1、 150mA 0.5w 2、 350mA 1.0w 3、 700mA 3.0w 4 、1000mA 5.0w LED 封装 — 大功率 LED封装发展绿色走势藍光芯片市場主流單晶粒藍光LED 藍光芯片主要用於封裝LED白燈 YAG Phosphor for White LED 藍光激發螢光粉可藉由調整成份改變白光 LED 的色溫以紫外光激發紅藍色綠三色螢光粉白光LED種類大功率市場的主要競爭對手分析芯片銷售須知：一般客戶需要提供芯片要求資料芯片尺寸：　單位: mil 波長: 單位: nm 電壓：單位:V 封裝後亮度要求：　單位：lm流明用量：　單位：K * * Unity Opto Technology LED（Lighting Emitting Diode）即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，它是能够将电能转化光能的电子器件并具有二级管的特性。 LED内部基本结构: 两个运动：复合运动、漂移运动 + - N 区 P区空穴注入结区入注子电发光区 N-GaP-Si Al GaAs GaInP-Al P-GaP-Mg Au AuBe Au Ti Au Au AuGeNi Ni 1、LED 芯片基本结构 2、工程设备 MOCVD (金屬有机物化学氣相沉淀法) VPE (气相磊晶) N极 P极发光区上游成品（外延片）研磨（减薄、抛光）正面涂胶保护（P面）化学抛光腐蚀蒸镀（P面）蒸镀（N面）黄光室涂胶去腊清洗、库房去胶清洗清洗清洗涂胶前先涂光阻附着液光罩作业腐蚀金、铍合金蒸镀钛、铝（P面）套刻腐蚀铝、钛切割工序半切显影、定影去胶清洗涂胶去胶清洗客户要求较高的中游成品点测一刀切客户要求不高送各封装厂显影、定影全切 LED芯片制作工艺流程 CaAs衬底 N-GaP-Si GaInP-Al （发光层、也称为本活性层） P-GaP-Mg 蒸镀Au（P面）蒸镀AuBe（P面）蒸镀Au（P面） GaAs P面蒸镀 N-GaP-Si GaInP-Al P-GaP-Mg Au AuBe Au P面 N面 P面蒸镀蒸镀Au（N面）蒸镀AuGeNi（N面）蒸镀Ni（N面）蒸镀Au（N面）