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模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronic 第五章 场效应管及其放大电路 第五章 场效应管及其放大电路 §5.1 场效应管 一、结型场效应管(以N沟道为例) 2. 工作原理 (1)栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 (2)漏-源电压对漏极电流的影响 3. 特性 (2)输出特性 二、绝缘栅型场效应管 增强型MOS管uDS对iD的影响 3. MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 讨论一:利用图示场效应管组成原理性共源放大电路。 讨论二:如何利用Multisim测试场效应管的输出特性 §5.2 场效应管基本放大电路 一、场效应管静态工作点的设置方法 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 二、场效应管放大电路的动态分析 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 §5.1 场效应管 §5.2 场效应管基本放大电路 一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管 三、场效应管的分类 场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体管的e、b、c;有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 1. 结构 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 UGS(off) uGS>UGS(off)且不变,VDD增大,iD增大。 预夹断 uGD=UGS(off) VDD的增大,几乎全部用来克服沟道的电阻,iD几乎不变,进入恒流区,iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么? uGDUGS(off) uGDUGS(off) 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区,因而uGS>UGS(off)且uGD<UGS(off)。 uDG>-UGS(off) (1)转移特性 g-s电压 控制d-s的 等效电阻 预夹断轨迹,uGD=UGS(off) 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区(截止区) 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS(off)、IDSS将不同。 低频跨导: uGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 1. 增强型管 大到一定值才开启 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么? iD随uDS的增大而增大,可变电阻区 uGD=UGS(th),预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS,恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 问题:uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种? 只有uGS>0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 只有uGS<0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种? 从输出特性曲线说明场效应管的哪些特点? 一、场效应管静态工作点的设置方法 二、场效应管放大电路的动态分析 三、场效应管放大电路的频率响应 根据场效应管工作在恒流区的条件,在g-s、d-s间加极性合适的电源 1. 基本共源放大电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 即典型的Q点稳定电路 近似分析时可认为其为无穷大! 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 与晶体管的h参数等效模型类比: 1. 场效应管的交流等效模型 若Rd=3kΩ, Rg=1MΩ, gm=2mS,则 与共射电路比较。 若Rs=3kΩ,gm=2mS,则 若Rs=3kΩ,gm=2mS,则Ro=?
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