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4-2 场效应晶体管
4-2 场效应晶体管
主要内容：
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• MOSFET的基本工作原理
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• 结型场效应晶体管
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• 金属-半导体场效应晶体管
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场效应晶体管,FET, field effect transistor
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利用垂直于导电沟道的输入电压的电场作用，控制导电沟
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道输出电流的一种半导体器件.
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FET与双极晶体管（势效应晶体管PET的典型代表）的比较：
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3
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FET与BJT的区别：
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1. FET 为电压控制器件; BJT 为电流控制器件。
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2. FET输入阻抗高，实际上不需要输入电流，在模拟开
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关电路，高输入阻抗放大器和微波放大器中具有广泛的
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应用。
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3. FET为单极器件，没有少子存储效应，适于高频和高速
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工作。
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4. 在大电流时，FET具有负的温度系数，随着温度的增
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加FET的电流减小，使整个器件温度分布更加均匀。
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5. 制备工艺相对比较简单，适合大规模集成电路。
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FET
FET
JFET IGFET
JFET IGFET
(p-n结栅) (绝缘栅)
(p-n结栅) MESFET (绝缘栅)
MESFET
( 肖特基栅)
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MOSFET/
MOSFET/ HFET
HFET
MISFET
MISFET (宽带隙）
(宽带隙）
(氧化物/
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