双栅无结型场效应晶体管的设计与优化.pdf

第 卷 第 期 微 电 子 学 ， ４ ３ ｏｌ．４４ Ｎｏ．３ ４ Ｖ ２ 年 月 ０１４ ６ ｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｕｎ．２０１４ Ｍ Ｊ  双栅无结型场效应晶体管的设计与优化 李 ， ， 为 民 梁仁 荣 王 敬 　 （ ， ） 清华大学 微电子学研究所清华信息科学与技术国家实验室 北京 １０００８４ ： ， ， 摘 要 利 用三 维数值仿真 工具 对 双栅 无结型 场 效应 晶体管进行 了数值 模拟 研究 了沟道掺 杂 　 　 ， 及 浓度 深度 分布 对晶体 管性能的影响 并对 比分析 了当沟道 长度 缩 小到 ０ｎｍ 以下时 器件 的电 学 １ 。 ， ， 特 性 仿真 结果表明 相 比于沟道 为均匀掺 杂分布 的器件 具 有中 间低 的沟道掺 杂深度 分布 的双栅 、 、 无结型 场效应 晶体管具 有 更优的开关电流 比 漏致 势 垒 降低 亚 阈值 斜 率 等 电 学性能 和 短 沟道 特 性 。 ： ； ； ； 关键词 无结型 场效应 晶体管 掺 杂深度 分布 短 沟道效应 双栅 　 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： ３ （ ） ０ ０ ＴＮ３８６．１ Ａ １００４ ３６５２０１４０３ ３８４ ４ － － － Ｄ Ｇ ｅｓｉｎａｎｄＯ ｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆＤｕａｌ ａｔｅＪｕｎｃｔｉｏｎｌｅｓｓＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ － 　 　 　 　 　 　 　 　 ｇ ｐ Ｌ ， ， ＩＷｅｉｍｉ