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第4l卷第5期 原子能科学技术 V01.41,No.5
2007年9月 Atomic Scienceand
Energy Technology Sep.2007
不同设计参数MOS器件的丫射线总剂量效应
李冬梅1,皇甫丽英1,王志华2,勾秋静1
(1清华大学电子工程系,北京100084;2.清华大学微电子学研究所,北京100084)
摘要:采用非加周工艺,通过设计加周手段实现具有辐射容忍性能的器件,可使器件抗辐射加固成本大
为降低。本工作研究商用标准0.6tam体硅CMOS工艺下不同设计参数的MOS晶体管的7射线总剂
量辐照特性。通过对MOS器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验,分别对比了不同宽长比(W/L)
NMOS管和PMOS管的总剂量辐照特性。研究表明,总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对NMOS及
PMOS管的w肛均不敏感;总剂量辐照引起亚阈区漏电流的增加随NMOS管W/L的减小而增加。研
究结果可为抗辐射CMOS集成电路设计中晶体管参数的选择提供参考。
关键词:MOS晶体管;宽长比;辐射效应;总剂量
6931(2007)050522—05
中图分类号:TN386.1 文献标识码:A 文章编号:1000
TotalDoseEffectsofDifferentSizedMOSDevices
^,一Radiation
I。I meil,HUANGFU Zhi—hua2,GOU
Dong Li—yin91,WANG Qiudin91
(1.Department 100084,China
2.Institute 100084,China)
ofMicroelectronics,Tsingh“nUniversity,Beijing
radiationeffectsonMOStransistorswithdifferentdevicesizes
Abstract:The
ionizing
were andfabricatedinacommercial
werestudied.Thetestdevicesdesigned 0.6“m
standardbulkCMOS weremonitoredbeforeandafter60Co
process.Deviceparameters
the
irradiationwithtotaldoseof9.6 resultsshowthat
)-rays kGy(Si).Theexperiment
thresholdshift irradiationisnotsensitivetoW/LinbothNMOSand
voltageafter/-ray
PMOSdevices.Theincreasesof betweensourceanddrainindueedirradiation
leakage by
aredifferentindifferentsizedNMOSdevices.Fort
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