JHA工作危险分析.ppt

典型的潜在危险 烫伤 / 冻伤 化学伤害 * 典型的潜在危险 环 境 健康危害 照明 / 通风 / 缺氧 / 可燃气体聚集 / 高温 / 风 / 阳光 噪音 / 有毒有害气(汽) / 灰尘 / 烟尘 / NORM / 辐射 * 典型的潜在危险 跌倒 附近其它作业 * 步骤4:确定预防措施,克服这些危害定 制定现实并可测量的安全工作规范 控制危害 消除危害(最有效) 限制危害 减少与危害的接触 实施新的程序,或修订目前的程序 传达程序 手册 特定任务的SOP 安全公告 * 控制措施 工程的方法 管理的方法 安全作业行为 劳保用品 应急措施 * 第*页 停止使用该危害性物质，或以无害物代替 改使用危害性较低的物质 修改程序以减轻危害性 隔离人员或危害 局限危害 工程技术控制 管理控制 个体防护 消除风险 降低风险 个体防护 作業風險管理流程 危害鑑別 頻率分析 嚴重度分析 風險評估 管理控制 改善計畫 監督量測 矯正預防 可接受風險 PLAN ACTION CHECK DO 持續改善 No Yes * 可接受風險 危害後果嚴重度 危害發生頻率 極顯著 輕微 不顯著 預 防 措 施 保護措施 顯著 緊急應變 * 持續改善 制訂績效指標(Performance Indicator) 軟硬體設備維修效率 人員受訓率 軟硬體設備故障率 危害事故發生率 績效評估 (Performance Evaluation) PDCA管理循環 P D C A * * 半導體製程具有下列潛在危害 1. 火災爆炸：危險性化學品造成，例如化學加熱槽、維修時之排放操作、使用真空泵之單元反應室的廢氣排放及通風與廢氣處理系統等之操作或控制失效。 2. 毒性化學品洩漏：半導體製程因使用有毒性的化學品及有毒特殊氣體，若操作、維修設計等作業發生任何異常，皆有可能造成毒性化學物質暴露之危害。 3. 游離輻射：半導體製程單元，例如離子植入機（ion implanter）、產生離子束（ion beam）、X-ray 或光能之單元設備及使用放射線物質於洩漏偵測之儀器等，皆有潛在發生游離輻射之危害。控制預防方法為建立良好的工程實務標準，以作為保護。 4. 非游離輻射：半導體製程單元，例如蝕刻機、濺鍍機等產生之RF 產生器，加熱器產生紅外線等非游離輻射易造成眼睛與皮膚傷害，或干擾重要設備的操作功能，或發生靜電火花等。控制預防方法為建立良好的工程實務標準，以作為保護。 5. 機械危害：使用機械人(robotics)與自動化操作之相關製程單元有潛在危害，如撞擊夾捲等機械性危害。 6.高溫爐管（furnance）沉積 （deposition）光罩（mask電路圖形（patterns離子植入（ion implantation化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）或物理氣相沉積（physical vapor deposition，PVD）濺鍍（sputter deposition）自燃性氣體（phrophoric gas）， * * 安全分析分类 包括作業安全分析、初步危害分析（Preliminary Hazard Analysis, PrHA）、失效模式分析與影響分析（Failure Modes and Effects Analysis, FMEA）、 危害及可操作性分析（Hazard and Operability Studies, HazOp）、如果-會怎樣分 析（What-If analysis）等。 * * 作业安全分析流程 七個階段： 1. 列出職務清冊 2. 依據各職務列出作業清單 3. 執行初步危害分析並辨認出關鍵性作業 4. 執行關鍵性作業安全分析 （1） 將作業劃分成細項執行步驟 （2） 列出各步驟可能的危害 （3） 列出減少災害應採取之控制措施 5. 依分析結果制定或修改標準作業程序或作業規範 6. 應用標準作業程序或作業規範 7. 更新與修訂標準作業程序或作業規範 作業安全分析可利用表2.7 方式進行分析[17]。 * * 關鍵性少數原則（the critical few principle） 作業安全分析是應用關鍵性少數原則（the critical few principle），將改善的資源先投入最需要管制的關鍵性作業。關鍵性步驟辨識可由下面幾點考量： 1. 如果此項作業執行不適當時，會造成什麼危害？ 2. 如果此項作業執行不適當，於作業完成後會造成什麼危害？ 3. 這些危害有多嚴重？（這項作業的傷害嚴重率為何？造成的損失有多大？是否影響其他部門？） 4. 危害重複發生的頻率，可由單位時間內此工作執行次數與發生事故的機率判斷而得。 * 判别关键性作业 一般以嚴重度、危害暴露頻率與損失發生的機率