硅基薄膜量子阱及其材料的研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

下载本文档

4
0
约5.61万字
约 72页
2019-04-05 发布于上海
举报
版权申诉

硅基薄膜量子阱及其材料的研究-材料物理与化学专业论文.docx

1、本文档共72页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

摘摘要 PAGE PAGE III study of small-angle X-ray diffraction. Optical properties and electrical properties are influenced by sublayers thickness of a-Si/a-SiNx multiple quantum wells，the results showed that the optical band gap became big ,the photoluminescence peaks have blue shift and the dark conductivity increases with the decrease of the thickness of one sublayers under the same the other sublayers thickness. The strength of photoluminescence peak and the dark conductivity of a-Si/a-SiNx multiple quantum wells are enhanced with the optical energy band gap of a-SiNx potential barrier layer increase. The analysis concluded that these phenomena are mainly proposed to originate from quantum confinement effect and space charge doping effect. key words ： PECVD ； Multiple quantum wells ； Photoluminescence ； Dark conductivity；Quantum confinement effect；Space charge doping 目目录 PAGE PAGE IV 目录第 1 章半导体超晶格材料研究进展1 1.1 半导体超晶格材料简介 1 1.1.1 超晶格量子阱中的新现象2 1.2 半导体超晶格材料国内外研究进展 4 1.2.1 半导体超晶格材料发展过程4 1.2.2 现有水平及发展趋势5 1.3 本文的研究目的和主要研究内容 7 1.3.1 本文的研究目的7 1.3.2 本文的主要研究内容7 1.4 小结 8 参考文献8 第 2 章 a-Si/a-SiNx 多量子阱结构及其材料的制备与测试 10 HYPERLINK \l _TOC_250004 2.1 a-Si/a-SiNx 多量子阱结构制备的可行性及优点 10 HYPERLINK \l _TOC_250003 2.2 a-Si/a-SiNx 多量子阱的结构 10 HYPERLINK \l _TOC_250002 2.3 PECVD 系统镀膜基本原理 11 2.4 薄膜材料的制备 12 HYPERLINK \l _TOC_250001 2.4.1 a-SiNx 实验参数的选择 12 HYPERLINK \l _TOC_250000 2.4.2 a-Si/a-SiNx 多量子阱实验参数的选择 13 2.4.3 工艺 15 2.5 测试手段 16 2.5.1 薄膜厚度的测量16 2.5.2 X 射线衍射谱(XRD)分析 16 2.5.3 傅立叶变换红外光谱分析法（IR） 17 2.5.4 紫外-可见光光谱法(U-V spectrum) 17 2.5.5 拉曼散射光谱技术18 2.5.6 材料发光性能测试19 PAGE PAGE VI 2.5.7 直流电导分析20 2.6 小结 22 第 3 章 a-SiNx 薄膜的表征与性质 24 3.1 氮化硅薄膜的形态与组分 24 3.1.1 氮化硅 XRD 测试 24 3.1.2 不同工艺条件对氮化硅薄膜沉积速率的影响25 N2 流量对氮化硅薄膜沉积速率的影响 25 温度对氮化硅薄膜沉积速率的影响 26 射频功率对氮化硅薄膜沉积速率的影响 27 3.1.3 氮化硅薄膜红外光谱28 3.2 氮化硅薄膜的光学性质 32 3.2.1 光吸收边及光学帯隙32 3.2.2 氮化硅薄膜光透过谱和光吸收谱34 3.2.3 N2 流量对氮化硅薄膜光学帯隙的影响 35 3.2.4 氮化硅薄膜的光致发光38 N2 流量对氮化硅薄膜光致发光的影响 39 衬底温度对