认识Mask以及其制作流程.pptVIP

下载本文档

244
0
约3.58千字
约 26页
2019-04-05 发布于浙江
举报
版权申诉

认识Mask以及其制作流程.ppt

1、本文档共26页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

Over-all flow TM This document is strictly confidential and proprietary of SMIC. It must not be copied or used for anypurpose other than for reference only, and SMIC shall not be liable or responsible for any reliance. 认识Mask以及简要的制作流程 TM The Role of Mask in IC Industry DESIGN MASK WAFER TESTING ASSEMBLY How Does Mask Work in Wafer FAB -------Stepper How Does Mask Work in Wafer FAB -------Scanner Raw Material of Mask Blank BIM (binary mask) PSM (phase shift mask) A. KRF-PSM B. ARF-PSM Size of Blank 5inch 90mil(5009) 5inch 180mil(5018) 6inch 120mil(6012) 6inch 250mil(6025) 7inch 250mil(7015) What kind of mask SMIC FABs use? Blank Component Binary Blank PSM Blank Photo Resist(3K,4K,4650A) CrOChrome(~1050A,700A) Quartz Photo Resist(2K,3K,4KA) CrOChrome(1000,~550A) Quartz MoSi Film Photo Resist Opaque Metal Film Substrate Photo Resist Opaque Metal Film Phase Shift Layer Substrate Blank Qz Characteristic Rigidity Heat Expansion(ppm/oC) 615 657 540 Rigidity Quartz Silicon-Boride Sodalite Material 0.5 3.7 9.4 Coefficient Quartz Silicon-Boride Soda lime Material Blank Qz Characteristic Optics Character Transmission ( % ) 200 300 400 0 20 40 60 80 100 Quartz Silicon-Boride Soda Lime Wave Length(nm) That’s why we choose Quartz as the substrate of blank How to Transfer Design to Mask? Writer Process Metrology Vis-Inspect Clean/Mount AIMS Repair 1st Inspect Thr-Inspect STARlight Shipping Develop Strip Etch Front-end Process Blank configuration Photo-resist Cr film Quartz Exposure Photo-resist develop Wet etch Photo-resist strip AEI ASI Re-Etch ? AEI: After Etch CD measure ASI: After Strip CD measure Step1 Step2 Step3 Step4 Step6 Step5 Step7 Front-end Process Dry process Resist Cr Qz H+ H+ H+ H+ H+ H+ H+ EB EB EB H+ H+ H+ H+ H+ H+ H+ Exposure(EB1,EB2,EB3DUV,LB5,LB6) PEB (Post Exposure Bake) SFB2500,APB5500 PAG Acid generation Acid diffusion Deprotection reaction Development(SFD2500,ASP5500) H+ Dry Etch(Gen3,Gen4)AEI, Re-etch Strip, ASI Pel