GB/T 6798-1996半导体集成电路　电压比较器测试方法的基本原理.pdf

中华人民共和国国家标准 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 GB/T6798一1996 Semiconductorintegratedcircuits 代替GB679886 Generalprinciplesofmeasuringmethods ofvoltagecomparators 1 主题内容与适用范围 本标准规定了半导体集成电路电压比较器 以（下简称器件）电特性测试方法的基本原理。 本标准适用于半导体集成电路电压比较器电特性的测试。 2 引用标准 GB3431.1半导体集成电路文字符号 电参数文字符号 3 总的要求 3.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定。 3.2 测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的 规定。 3.3 测试期间，施于被测器件的电源的内阻在信号频率下应基本为零；电源电压的偏差应在规定值的 士1％以内。施于被测器件的其他电参量的精度应符合器件详细规范的规定。 3.4 在被测器件线性工作区测试时，交流小信号幅度的逐渐减小不应引起参数值的变化。 3.5 被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。 3.6 若有要求时，应按器件详细规范规定的顺序接通电源。 3-7 测试期间，被测器件应连接详细规范规定的辅助电路和补偿网络。 3.8 测试期间，被测器件应避免出现 自激现象。 3.9 若电特性值是由几步测试的结果经计算而确定时，这些测试的时间间隔应尽可能短。 3.10 采用辅助放大器 A（）与被测器件 D（UT）构成闭合环路的方法测试时，基本测试原理图如图1所 示 。 国家技术监督局1996一07一09批准 1997一01一01实施 GB/T 6798一 1996 RF 一日 V＿ VREF 图 1 辅助放大器应满足下列要求： a．开环增益大于60dB; b．输入失调电流和输入偏置电流应很小； c． 动态范围足够大。 环路元件应满足下列要求： a． 满足下列表达式 R,·IIB+VIO； Rs+RID； Rs．IIB;VIO; Ros+RFKRID； RI=R2； RIR,e 式中：IIB— 被测器件的输入偏置电流，mA; VIo— 被测器件的输入失调电压，V; 凡D— 被测器件的开环差模输入电阻，n； Ros— 辅助放大器的开环单端输出电阻,a, b.RF/R，值决定了测试精度，但须保证辅助放大器在线性区工作。 3.11对MOs器件，测试期间测试设备或操作者应避免因静电感应而引起器件失效。 3.12 本标准使用的电参数文字符号按GB3431.1和附录A补（充件）的规定。 4 电特性测试 4.1 输入失调电压VIo 4.1.1 目的 本方法用于测试使输出电压为规定值时，两输入端间所加的直流补偿电压。 4.1.2 测试原理图 VIO的测试原理图如图2所示。 GB/T 6798一1996 Re RRRiiV+V+DUTnRR,SRI8i2.8s,tSIIVL -VOH-VOL-VOH 图2 4.1.3 测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 a． 环境或参考点温度； b． 电源电压；