某半导体芯片生产项目含砷废水处理的方案.pdf

某半导体芯片生产项目含砷废水处理方案浅析 摘要： 随着半导体行业的高速发展，半导体芯片生产将产生大量的含砷废水。同时，日趋严格的废 水排放标准对含砷废水处理提出了更高的要求。本文针对半导体集成电路芯片生产产生的含砷废水，结合 工程实际情况，分析了袋滤-氢氧化钙-氯化铁混凝沉淀的处理方法，并采用膜分离技术及离子交换技术对 废水进行深度处理，取得了良好的除砷效果，将出水总砷稳定地控制在 0.1mg/L 以下，达到污染排放标准， 降低了对环境的影响。 关键词：半导体；砷化镓；含砷废水；共沉淀；超滤；离子交换 随着信息技术和通讯产业的高速发展，化合物半导体材料在微电子和光电子 领域发挥越来越重要的作用。在半导体材料发展过程中，半导体材料主要经历了 以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代元素半导体，以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为 代表的第二代化合物半导体，以及以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代 [1] 宽禁带半导体材料三大阶段 。作为第二代半导体材料，砷化镓是除硅之外研究 最深入、应用最广泛的半导体材料。相对于硅，砷化镓具有较大的禁带宽度，更 [2] 高的电子迁移率和饱和迁移速率 ，其不仅可直接研制光电子器件，以砷化镓为 衬底制备的集成电路芯片是实现高速率光线通信及高频移动通信必不可少的关 [3] 键部件 ，在光电子、微电子及移动通信中应用愈加广泛。近年来，砷化镓半导 体材料市场需求迅速增长。我国的砷化镓产业也在不断发展，近几年成立了多家 砷化镓芯片生产企业。 基于自身材料和生产工艺，在砷化镓芯片的生产过程中排放的废气和废水中 均含有砷化合物，其含砷废水的处理也成为砷化镓生产项目亟待解决的问题之一。 砷及其化合物对人体及其他生物体均有广泛的毒害作用，已被国际防癌研究机构 和美国疾病控制中心确定为第一类致癌物[4] 。由于砷的高毒性和致癌性，在 [5] GB8978-1996 《污水综合排放标准》 中总砷被列于第一类污染物，最高允许排 放浓度为 0.5mg/L 。而一些经济较为发达的城市和地区针对废水中总砷制定了更 为严格的地方标准。DB31/374-2006 《上海市地方标准——半导体行业污染物排 [6] 放标准》 中，砷化镓工艺的总砷最高允许排放浓度为0.3mg/L 。DB11/307-2013 [7] 《北京市地方标准——水污染物综合排放标准》 中，排入公共污水处理系统的 砷排放限值为 0.1 mg/L，均高于国家标准。半导体行业排放监管的日趋严格，对 含砷废水的处理工艺也提出了更高的要求。本文以某半导体芯片生产项目为例， 浅析其含砷废水综合处理方案，以期为含砷废水处理达标排放提供思路。 1 含砷废水来源 半导体集成电路芯片制造是采用半导体平面工艺在衬底上形成电路并具备 电学功能的生产过程，其生产工艺十分复杂，包括外延片清洗、光刻、湿法蚀刻、 去光阻、离子注入、干法蚀刻、化学气相沉积、抛光、溅镀、背面减薄等一系列 [3] 工序 。 本项目主要产品为砷化镓集成电路芯片，即以砷化镓作为衬底进行芯片生产。 其生产过程中产生的含砷废水主要来源于抛光、背面减薄工艺产生的无机颗粒态 砷化镓研磨废水，清洗工艺产生的含砷废水，以及含砷废气洗涤塔产生的吸收废 液。由于清洗工艺主要以大量超纯水及各种酸碱有机清洗剂清洗芯片，因此该过 程产生的含砷废水成分复杂，但污染物浓度较低。而含砷废气洗涤塔吸收废液则 废水量小，污染物浓度高。由于总水量较少，将这两股废水经由同一套管路收集， 使洗涤塔吸收废液得到稀释，同时节省投资。这两股废水含颗粒物较少，而砷化 镓研磨废水则所含砷化镓固体颗粒物浓度较高，容易堵塞管路，因此单独收集。 根据工艺部门提供数据，本项目产生含砷废水总量 45t/d ，主要污染物为pH 、总 砷，总砷源强 70~80mg/L 。 表 1 含砷废水进出水水量及水质 Table 1 Water quantity and quality of arsenic waste water be treated before and after