模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社).doc

第一章 半导体器件 1-1 当T=300K时，锗和硅二极管的反向饱和电流IS分别为1和0.5。如将此两个二极管串联起来，有1μA的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解： 二极管正偏时， ， 对于硅管： 对于锗管： 1-2 室温时，某硅二极管的反向饱和电流IS=0.1pA。 （1）当二极管正偏压为0.65V时，二极管的正向电流为多少？ （2）当温度升至或降至时，分别计算二极管的反向饱和电流。此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解： （1） （2）当温度每上升10℃时，增加1倍，则 T=300k(即27℃ 则67℃时， 1-3 二极管电路如图P1-3（a）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b）所示。已知电源电压为6V，二极管压降为0.7伏。试求： （1）流过二极管的直流电流； IDUD0.753mA ID UD 0.7 53mA 图 P1-3 6V R 100Ω D ID (a) (b) 解： （1） （2） 1-4 当T=300K时，硅二极管的正向电压为0.7V，正向电流为1mA，试计算正向电压加至0.8V时正向电流为多少？ 解： 1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。反之二只背靠背连接的二极管可等效为一个三极管吗？ 图 图 P1-5 NPN PNP b b b b c c c c e e e e 解：不能。因为它们不可能同时满足如下条件，即：发射区掺杂浓；集电结面积大；基区薄。放大时发射结正偏，集电结反偏，用二极管等效集电结反偏时不可能有电流，而晶体管二个结因具有上述特点载流子可输出到集电极去。 1-6 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各极电压如图P1-6所示。试画出晶体管的电路符号并注明是硅管还是锗管。 - -2.3V 图 P1-6 -7V -2V 8V 3.7V 3V (a) (b) -2.3V-7V -2.3V -7V -2V 3.7V 8V 3V Ge Si 1-7 已测得晶体三极管各极对地电位如图P1-7所示。判断它们处于何种工作状态（饱和，放大，截止或损坏）。 图 图 P1-7 -8.2V (a) -12V -8V 2V 8V 2.3V 3V 8V 1V 8.2V 8.2V 8V 2V 2V R1 R2 3AD6 3DG6 3CG2 3BX1 (b) (c) (d) 解： 放大 截止 损坏 临界饱和UBE=UCE 1-8 共射电路如图P1-8所示。已知晶体管参数为β=50，ICBO=0，EB=5.6V，RB=100KΩ，EC=12V，UBE(on)=0.6V。 （1）如果RC=2KΩ，试求ICQ、UCEQ，并说明电路的工作状态； （2）如果RC=5.1KΩ重复（1）； （3）如晶体管工作在放大状态，调节RB使ICQ=2mA。如，画出晶体管的低频混合型等效电路，并标出元件值。 图 P1 图 P1-8 EC EB RB RC （1） 放大状态 （2） RB RB RC βIb rbe （3） 1-9 某晶体管的输出特性如图P1-9（a）所示。将在0~1mA之间的特性放大后如图P1-9（b）所示。 （1）计算该晶体管的β和PCM。 （2）当UCE分别为5V和10V时，IC分别允许为多大。 （3）确定该晶体管的U(BR)CEO和U(BR)CBO的值。 图 图 P1-9 (a) 4 3 2 5 10 15 6 1 20 5 0 UCE /V IC / mA -ICBO 1.5 0 UCE /V IC / mA 10 20 30 40 0.5 1 10μA ICEO (b) 解： （1） （2） （3） 1-10 已知三个场效应管的转移特性曲线或输出特性曲线分别如图P1-10所示，试判别其类型，并说明UDS=|10V|的饱和电流。 2 2 4 3 1 图 P1-10 (a) UGS /V 1 -2 ID / mA -3 -1 UDS=10V 2 0 (b) 2 1 1 ID / mA UGS /V -1 -2 3 -3 4.5V 2 5 UDS /V ID / mA 10 15 4 6 8 UGS=2V 3V 3.5V 4V (c) 2.5V 解： （a）N沟耗尽型MOSFET，， （b）P沟JFET，， （c）N沟增强型MOSFET，无意义， 1-11已知各FET的各极电压值如图P1-11所示，设各管的│UP│=2V，试分别说明它们的工作状态（可变电阻区，饱和区，截止区或不能正常工作）。 G G G G G D D D D S S S S 5V 5V