EEPROM瞬时剂量率效应实验研究.docx

第４８卷 增 刊２０１４年１０月原 子 能 第４８卷 增 刊 ２０１４年１０月 原 子 能 科 学 技 术 ＡｔｏｍｉｃＥｎｅｒｇｙＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．４８，Ｓｕｐｐｌ． Ｏｃｔ．２０１４ 瞬时剂量率效应实验研究 ＥＥＰＲＯＭ 王桂珍，齐 超，林东生，白小燕，杨善潮，李瑞宾，刘 岩，金晓明 （西北核技术研究 所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 ，陕 西 西 安 ７１００２４） 摘 要 ：对 ３种 不 同 容 量 的 ＥＥＰＲＯＭ 开 展 了“强 光 一 号”瞬时剂量率效应实验研究 ，测 量 电 路 的 剂 量 率 闩 锁 特 性 、高剂量率辐照下的数据保持能力及电 路 功 能 。 辐 照 前 ，利 用 编 程 器 在 ＥＥＰＲＯＭ 中 全 地 址 写 入 ５５Ｈ，加 电 辐 照 ，测量辐照后的电源电流 ；辐 照 后 ，再利用编程器对 ＥＥＰＲＯＭ 的存储数据及读写功能进 行 测 量 。研 究 结 果 表 明 ：ＥＥＰＲＯＭ 在 瞬 时 辐 照 下 ，主要表现为外围电路的剂量率闩锁效 应 ；在 １．０×１０９ Ｇｙ（Ｓｉ）／ｓ的高剂量率辐照下 ，３种电路存储的数据保持完好 ，未 发 生 变 化 ，存 储 器 的 擦 除 、编 程 及读出功能正常 。给 出 了 ３种 ＥＥＰＲＯＭ 电路的剂量率闩锁阈值 ，并 对 ＥＥＰＲＯＭ 的瞬时剂量率效应特 点 进 行 了 分 析 。 关 键 词 ：浮 栅 器 件 ；ＥＥＰＲＯＭ；剂 量 率 闩 锁 ；闩 锁 阈 值 中 图 分 类 号 ：ＴＮ４３；ＴＬ９９ 文 献 标 志 码 ：Ａ 文 章 编 号 ：１０００－６９３１（２０１４）Ｓ０－０７２７－０５ ｄｏｉ：１０．７５３８／ｙｚｋ．２０１４．４８．Ｓ０．０７２７ ＴｅｓｔＳｔｕｄｙｏｎＴｒａｎｓｉｅｎｔＤｏｓｅＲａｔｅＥｆｆｅｃｔｏｆＥＥＰＲＯＭ ＷＡＮＧ Ｇｕｉ－ｚｈｅｎ，ＱＩＣｈａｏ，ＬＩＮ Ｄｏｎｇ－ｓｈｅｎｇ，ＢＡＩＸｉａｏ－ｙａｎ，ＹＡＮＧＳｈａｎ－ｃｈａｏ， ＬＩＲｕｉ－ｂｉｎ，ＬＩＵ Ｙａｎ，ＪＩＮ Ｘｉａｏ－ｍｉｎｇ （ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＩｎｔｅｎｓｅＰｕｌｓｅｄＲａｄｉａｔｉｏｎＳｉｍｕｌａｔｉｏｎａｎｄＥｆｆｅｃｔ， ＮｏｒｔｈｗｅｓｔＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆ ＮｕｃｌｅａｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｉ’ａｎ７１００２４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｒａｎｓｉｅｎｔｄｏｓｅｒａｔｅｅｆｆｅｃｔｓｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄｆｏｒｔｈｒｅｅｋｉｎｄｓｏｆｆｌｏａｔｉｎｇｇａｔｅｅｌｅｃ－ ｔｒｉｃａｌｌｙｅｒａｓａｂｌｅｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅｒｅａｄｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｉｅｓ （ＥＥＰＲＯＭｓ）ｕｓｉｎｇ Ｑｉａｎｇｇｕａｎｇ－１ ａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒ．Ｔｈｅｄｏｓｅｒａｔｅｌａｔｃｈｕｐｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎａｎｄｈｉｇｈｄｏｓｅｒａｔｅｍｅｍｏｒｙｒｅｔｅｎｔｉｏｎ ｗｅｒｅｔｅｓｔｅｄ．Ｐｒｉｏｒｔｏ ｅｘｐｏｓｕｒｅ，ｅａｃｈ ｂｙｔｅ ｗａｓ ｗｒｉｔｔｅｎ ｗｉｔｈ ａ ５５Ｈ ． ＥＥＰＲＯＭｓｗｅｒｅｐｏｗｅｒｅｄ ｏｎ ｄｕｒｉｎｇｅｘｐｏｓｕｒｅ．Ａｆｔｅｒｅｘｐｏｓｕｒｅ，ｓｕｐｐｌｙｃｕｒｒｅｎｔｓａｎｄ ｍｅｍｏｒｙｄａｔａｏｆＥＥＰＲＯＭｓｗｅｒｅｍｅａｓｕｒｅｄ．ＴｈｅｒｅｓｕｌｔｓｈｏｗｓｔｈａｔＥＥＰＲＯＭｓａｒｅｓｕｓ－ ｃｅｐｔｉｂｌｅｔｏ ｌａｔｃｈｕｐ． Ａｖｅｒａｇｅｌａｔｃｈｕｐ ｌｅｖｅｌｓ ａｒｅ ２．０ × １０７，２．３ × １０７ ａｎｄ ７．０ × １０６ Ｇｙ（Ｓｉ）／ｓｆｏｒＡＴ２８Ｃ２５６，ＡＴ２８Ｃ０１０ａｎｄＡＴ２８Ｃ０４０．Ｆｏｌｌｏｗｉｎｇｅｘｐｏｓｕｒｅｔｏ１．０× １０９ Ｇｙ（Ｓｉ）／ｓ，ｎｏｄａｔａｗａｓｌｏｓｔａｎｄａｌｌＥＥＰＲＯＭｓｃａｎｂｅｒｅａｄａｎｄｗｒｉｔｔｅｎｅｘａｃｔｌｙ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｆｌｏａｔｉｎｇｇａｔｅｄｅｖｉｃｅ；ＥＥＰＲＯＭ；ｄｏｓｅｒａｔｅｌａｔｃｈｕｐ；ｌａｔｃｈｕｐｌｅｖｅｌ 电 可 擦 写 只 读 存 储 器 （ＥＥＰＲＯＭ）是 一 种 非 挥 发 性 存 储 器 ，可 在线重复擦写编程 ，掉 电 后 数 据 不 丢 失 。通常写入的数据 常 温 条件 下可 保 存 数 十 年 ，其 擦 写 编 程 周 期 可达百万次以上 。 收 稿 日 期 ：２０１４－０５－２９；修 回 日 期 ：２０１４－０８－０６ 基 金 项 目 ：装备预先研究项目资助 作 者 简 介 ：王 桂 珍（１９６７—），女 ，陕 西 新 绛 人 ，副 研 究 员 ，博 士 ，核技术及应用专业 原子能科学技术 第