展讯SDRAM高级指导.pdf

SC6800H EMC 及 SDRAM 专题培训 Version: 3.2 Date: 2011-07-08 GSM FAE SZ Yongjun.Zang 前 言 文档说明 本文档为展讯 SC6800H EMC 及 SDRAM 专题培训资料。 阅读对象 本文档针对于所有 SC6800H 平台驱动工程师及硬件工程师。 内容介绍 本文档包括四个章节，分别为： 第一章：SDRAM 工作原理和时序分析 第二章：SC6800H EMC 简介 第三章：SC6800H EMC 寄存器介绍 第四章：SC6800H SDRAM 客户化配置 第五章：SC6800H EMC 常见问题分析 问题反馈 本文档涉及的内容比较多，难免有错误和遗漏之处。如果有任何的疑问，请联系 yongjun.zang@ 。 目 录 第 1 章 SDRAM 工作原理和时序分析 1-6 1.1 常见 RAM 分类 1-6 1.2 常见 SDRAM 分类 1-6 1.3 SDRAM 的重要概念1-7 1.3.1 L-Bank 1-7 1.3.2 位宽 1-7 1.3.3 存储容量 1-7 1.4 SDRAM 的外部信号1-8 1.5 SDRAM 的内部结构1-9 1.6 SDRAM 的基本命令1-10 1.6.1 Initialize 1-11 1.6.2 Load Mode Register1-11 1.6.3 Row Active 1-12 1.6.4 Column1-13 1.6.5 Read 1-14 1.6.6 Write1-14 1.6.7 Burst1-15 1.6.8 Precharge1-16 1.6.9 Auto Refresh 1-17 1.6.10 Self Refresh1-18 1.6.11 DQM 1-18 1.7 SDRAM 的时序参数1-19 1.7.1 tMRD(Mode Register Delay)1-19 1.7.2 tRP(Row Precharge Time / PRECHARGE to ACTIVE delay) 1-19 1.7.3 tRCD(RAS to CAS Delay / ACTIVE to READ/WRITE delay)1-19 1.7.4 tCL(CAS Latency)1-20 1.7.5 tWR(Write Recovery Time)1-20 1.7.6 tRAS(Row Active Time / Active to Precharge Delay)1-20 1.7.7 tRRD(Row to Row Delay / RA