8—9.5keV正电子致TiK壳层电离截面实验研究.PDF

8—9.5keV正电子致Ti 的K壳层电离截面的实验研究 钱宇瑞 吴英 杨夏童 陈秋香 尤俊栋 王宝义 况鹏 张鹏 ExperimentalstudyonTiKshellionizationcrosssections induced by 8--9.5keV positrons QianYu-Rui WuYing YangXia-Tong ChenQiu-Xiang YouJun-Dong WangBao-Yi KuangPeng ZhangPeng 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,192101(2018) DOI: 10.7498/aps.67 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.67 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2018/V67/I19 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 用重正交化Lanczos法求解大型非正交归一基稀疏矩阵的特征值问题 EigenvalueproblemssolvedbyreorthogonalizationLanczosmethodforthelargenon-orthonormalsparse matrix 物理学报.2016,65(19): 192101 /10.7498/aps.65.192101 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 19 (2018) 192101 8—9.5 keV正电子致Ti 的K 壳层电离截面的 实验研究 钱宇瑞 吴英 杨夏童 陈秋香 尤俊栋 王宝义 况鹏 张鹏 1)(华北电力大学, 非能动核能安全技术北京市重点实验室, 北京 102206) 2)(中国科学院高能物理研究所, 北京 100049) ( 2018 年4 月11 日收到; 2018 年7 月22 日收到修改稿) 低能正电子碰撞原子内壳层电离截面的实验数据目前还很缺乏, 从而影响了对近年来发展的各相关 理论模型的检验, 限制了慢正电子束流技术在诸多领域中的应用. 本文采用慢正电子束流装置产生的 8—9.5 keV 正电子束碰撞纯厚Ti 靶, 利用硅漂移探测器(SDD) 收集正电子碰撞Ti 靶产生的X 射线, 同时采 用高纯锗探测器在线获得与靶碰撞的入射正电子数, 从而得到Ti 的K 壳层实验产额, 并基于蒙特卡罗模拟程 序PENELOPE 获得模拟产额. 将实验产额分别与内壳层电离截面数据库采用经典光学数据模型(ODM) 和 扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA) 的蒙特卡罗模拟产额进行对比, 发现基于ODM 理论模型的模拟产额与实 验值有较大的偏差, 基于DWBA 理论模型的模拟产额与实验结果符合较好. 根据实验产额和基于DWBA 理 论模型的模拟产额的比较结果, 对蒙特卡罗模拟程序使用的DWBA 理论模型数据库进行修正后再进行模拟 和比较, 从而得到可靠的8—9.5 keV 正电子致Ti 原子K 壳层电离截面数据. 关键词: 正电子碰撞厚Ti 靶, K 壳层电离, 蒙特卡罗模拟, 扭曲波玻恩近似理论模型 PACS: 21.60.–n, 21.60.Cs, 21.60.Ka, 24.80.+y DOI: 10.7498/aps.67 慢化体的慢正电子束流装置引出的10—30 keV 正 1 引 言 电子束, 分别碰撞几个nm 厚的靶膜镀在40 nm 厚 的碳衬底表面的薄膜薄衬