课件：传统金属封装材料及其局限性.ppt

Click to edit Master title style Click to edit Master title style Click to edit Master title style 可编辑 可编辑 电子制造及半导体封装 传统金属封装材料及其局限性 教学目标： （1）了解金属封装材料的要求； （2）了解传统金属封装材料及其局限性；（重难点） 引入课题 金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是军用和定制的专用气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。金属封装形式多样、加工灵活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A转换器)融合为一体，适合于低I／O数的单芯片和多芯片的用途，也适合于射频、微波、光电、声表面波和大功率器件，可以满足小批量、高可靠性的要求。此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。本文主要介绍在金属封装中使用和正在开发的金属材料，这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。 本节内容介绍 （1）金属封装材料的要求； （2）传统金属封装材料； （3）封装的发展趋势； 金属封装材料的要求 芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求： 金属封装材料的要求 1、与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生； 2、非常好的导热性，提供热耗散； 3、非常好的导电性，减少传输延迟； 4、良好的EMI／RFI屏蔽能力； 金属封装材料的要求 5、较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能； 6、可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护； 7、较低的成本。 传统金属封装材料 传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等，它们的主要性能如表1所示。 传统金属封装材料——铜、铝 纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里。然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。 传统金属封装材料——铜、铝 为了减少陶瓷基板上的应力，设计者可以用几个较小的基板来代替单一的大基板，分开布线。退火的纯铜由于机械性能差，很少使用。加工硬化的纯铜虽然有较高的屈服强度，但在外壳制造或密封时不高的温度就会使它退火软化，在进行机械冲击或恒定加速度试验时造成外壳底部永久变形。 传统金属封装材料——铜、铝 铝及其合金重量轻、价格低、易加工，具有很高的热导率，在25℃时为237W(m-1K-1)，是常用的封装材料，通常可以作为微波集成电路(MIC)的壳体。但铝的CTE更高，为23．2×10-6K-1，与Si(4．1×10-6K-1)和GaAs(5.8×10-6K-1)相差很大，器件工作日寸的热循环常会产生较大的热应力，导致失效。 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 传统金属封装材料——铜、铝 虽然设计者可以采用类似铜的办法解决这个问题，但铜、铝与芯片、基板严重的热失配，给封装的热设计带来很大困难，影响了它们的广泛使用。 传统金属封装材料——铜、铝 铝及其合金重量轻、价格低、易加工，具有很高的热导率，在25℃时为237W(m-1K-1)，是常用的封装材料，通常可以作为微波集成电路(MIC)的壳体。但铝的CTE更高，为23．2×10-6K-1，与Si(4．1×10-6K-1)和GaAs(5.8×10-6K-1)相差很大，器件工作日寸的热循环常会产生较大的热应力，导致失效。 传统金属封装材料——钨、钼 Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3非常匹配，它的热导率相当高，为138W(m-K-1)，故常作为气密封装的底座与可伐的侧墙焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金属封装中。Mo作为底座的一个主要缺点在于平面度较差，另一个缺点是在于它重结晶后的脆性。 传统金属封装材料——钨、钼 W具有与Si和GaAs相近的热膨胀系数，且导热性很好，可用于芯片的支撑材料，但由于加工性、可焊性差，常需要在表面镀覆其他金属，使工艺变得复杂且可靠性差。W、Mo价格较为昂贵，不适合大量使用。