北京工业大学电子信息材料第4章 半导体的导电性.pdf

半导体材料物理 (2013.4.16 ~ 2013.6.6) 材料科学与工程学院 王如志 1 第四章 作业 2 第四章 半导体的导电性 1. 载流子的漂移运动和迁移率 2. 载流子的散射 3. 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4. 电阻率与杂质浓度和温度的关系 5. 强电场效应 6. 霍尔效应 7. 磁阻效应 3 据物理学家组织网4月16 日报道，美国威 斯康辛大学米尔沃基分校的科学家发现 了一种全新的碳基材料——一氧化石墨 烯（GMO ），其由碳家族的神奇材料石 墨烯合成，该半导体新材料有助于碳取 代硅，应用于电子设备中 4 上章 复习 1. 热平衡状态 1、无能量和物质的交换 2 、宏观性质不随时间变化 2. 状态密度 Vk2 Vk2 g k ( ) 2 2 2 状态密度：单位 2  能量 （E ）及波 矢 （K ）间隔内 的量子态数 3. 费米分布 全同和独立的费米子 1 系统中粒子的最概然 f (E ) E E F 分布：简称费米分布 e kB T 1 * E  E 3 m 费米能级 E c v  kT ln p F 2 4 m * n 5 上章 复习 4. 本征载流子浓度及载流子浓度积 3/ 2 2 *  (E E )/ k T m k T n N e F c B ,N 2  n B  0 c c