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* 晶体二极管 一、晶体二极管的特性和参数 特性: 单向导电作用,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大 。 1.额定正向工作电流 二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值 电流过大----热击穿(鍺90℃、硅140 ℃ ) 2.最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力 反压增高----反压击穿 3.反向电流 二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流 * 晶体二极管 一、晶体二极管的特性和参数 常用IN4000系列整流二极管参数表 常用IN4700系列稳压二极管参数表 * 晶体二极管 二、二极管的分类 1.材料 可分为锗二极管(Ge管0.4V) 和硅二极管(Si管0.7V) 2.用途 整流、检波、稳压、开关、发光、 变容二极管等 3.管芯结构 可分为点接触型、 面接触型及平面型二极管 * 晶体二极管 三、二极管在整流电路中的应用 1.半波整流回路 2.全波整流回路: 3.桥式整流回路: * 晶体二极管 四、其他应用 1.检波电路 2.稳压电路 3.调谐电路 4.指示电路 * 晶体三极管 一、三极管的特性参数 最基本的和最重要的特性: 晶体三极管具有电流放 大作用,其实质是三极管能 以基极电流微小的变化量来 控制集电极电流较大的变化 量。 * 晶体三极管 一、三极管的特性参数 901X系列三极管参数 常用于小功率信号放大 * 晶体三极管 一、晶体三极管分类 1.按极性及材料分类 晶体三极管 主要有硅晶体三极管和锗晶体三 极管,两种半导体都有PNP型和 NPN型两种类型。 2.按电流容量分类 小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 3.按工作频率分类 低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 4.按封装结构分类 金属封装、塑料封装、玻璃壳封装、表面封装和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 5.按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管(磁控管)、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 * 晶体三极管 三、晶体三极管的三种工作状态 1.截止状态 当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。 2.饱和导通状态 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态 3.放大状态 当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。 * 晶体三极管 四、基本应用电路 1.共发射极放大电路 2.三端稳压电源电路 * 谢谢大家! * 第一章 常用电子元器件简介 * 概述 一、电子元器件的发展史 电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。 第一代电子产品以电子管为核心(1904 ) 四十年代末诞生了第一只半导体三极管 五十年代末期第一块集成电路问世 特点: 体积大、耗电、寿命短(灯丝寿命) 第一台电子计算机重30吨,用18000个电子管,功率 25千瓦 特点:小巧、轻便、省电、寿命长 特点:在一小块硅片上集成了许多晶体管, 更省电,便于电子产品的小型化。 * 概述 二、电子元器件在电子技术中的地位和作用 2.在电子技术的发展中起关键作用 1.电子电路(系统)的最基本单元 1.有源器件(电子器件) 电真空器件(电子管、示波及显像管等) 半导体器件(晶体二、三极管,电阻R、电感L、电容C 场效应管等) 集成电路 (中小规模IC、大规模及超大规模IC) 元器件的发展推动了技术的革新,新技术的发展又进一步给元器件的发展提出了新要求和空间。 三、电子元器件的种类 有源器件、无
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