电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第二章 双极型晶体三极管（BJT）2.2.2.ppt

1 第二章 双极型晶体三极管（BJT） 2.2 BJT的静态特性曲线 晶体三极管的静态特性曲线是在伏安平面上作出的反映晶体管各极直流电流与电压关系的曲线－晶体管图示仪。 利用晶体管的特性曲线可以分析晶体管放大电路（负载线法）。 2.2.1 共射输入特性曲线 输入特性曲线对应的函数关系为 从图中容易看出，输入特性曲线有以下两个特点： 曲线的形状与PN结正偏时的伏安特性曲线类似。 集电结反偏电压 增大时，基极电流会因基区宽调效应而减小。 工程上往往将输入特性曲线族近似为一条曲线。 2.2.2 输出特性曲线 输出特性曲线的四个区域，对应于BJT的四种工作状态。 1. 放大区 条件：e结正偏，c结反偏。 (1)基极电流 对集电极电流 有很强的控制作用，即 有很小的变化量 时， 就会有很大的变化量 。为此，定义共发射极交流电流放大系数 来表示这种控制能力，即 反映了两条不同 曲线的间隔，这使得输出特性曲线族近似为等间隔曲线。 （2） 变化对 的影响很小，在输出特性曲线上表现为 一定而 增大时，曲线略有上翘（ 略有增大）－基区宽调效应。 由于基调效应很微弱， 在很大范围内变化时 基本不变。因此，当 一定时，集电极电流 具有恒流特性。 2. 饱和区 条件：e结和c结均处于正偏。 临界饱和状态： （即c结零偏）的情况。对应点的轨迹为临界饱和线。 饱和区：临界饱和线与纵轴所夹的区域。 在饱和区， ，各条曲线几乎重合在一起， 与 的比例关系不再成立。因此， 失去了对 的控制作用。 饱和压降：当晶体管工作在饱和区时，c、e之间的压降。记作 ，在深度饱和时， 很小，工程上硅管的 典型值约为0.3V。 3．截止区 条件：e结和c结均处于反向偏置。 4.击穿区 当 增大到基极开路时集电结的反向击穿电压达到 时，集电结发生击穿，集电极电流 急剧增大的区域。观察该区域的曲线形状会发现，击穿电压 会随参变量的增加 而减小。 在作为放大使用时，应避免BJT工作在击穿区。 2.2.3 温度对BJT特性及参数的影响 1.温度对 和 的影响 温度每升高 ， 增加约一倍；反之，温度减低时减小。 由于硅管 的比锗管小的多，所以从绝对数值上看，硅管比锗管受温度的影响要小得多。 （2.17） 图2.5 NPN管输入特性曲线 （2.18） 图2.6 NPN管共射输出特性曲线 （2.19） 随温度的变化与 类似。 * * * *