江西师范大学数字电子技术课件第七章 第一节 只读存储器.ppt

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第一节 只读存储器 二、掩模只读存储器 三、可编程只读存储器 可擦除的可编程只读存储器 第一节 只读存储器 概述 掩模只读存储器 可编程只读存储器 下页 总目录 推出 返回 下页 上页 半导体存储器是一种能存储大量二值信息(或称为二值的数据)的半导体器件。 分类: 从存储功能上可分为: 只读存储器(Read Only Memory) 随机存储器(Random Access Memory) 2. 从制造工艺上可分为: 双极型 MOS型 一、概述 下页 返回 上页 掩模ROM:数据在制作时已经确定,无法更改。 可编程ROM(PROM): 数据可由用户一次写入,但不能再修改。 可擦除的可编程ROM(EPROM): 数据可多次擦写,灵活性更大。 ROM RAM 静态存储器(SRAM):存取速度快。 动态存储器(DRAM):集成度高 。 下页 返回 上页 掩模ROM在出厂时内部存储的数据就已经“固化”。 ROM的电路结构: 地址译码器 存储矩阵 输出缓冲器 数据输出 地址输入 三态控制 下页 返回 上页 存储矩阵:由许多存储单元排列而成。 每个单元能放1位二值代码(0或1)。 每一个或一组存储单元有一个对应的地址代码。 地址译码器:将输入的地址代码译成相应的控制信号, 利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出, 并把其中的数据送到输出缓冲器。 输出缓冲器:一是能提高存储器的带负载能力, 二是实现对输出状态的三态控制, 以便与系统总线连接。 各部分功能 动画 下页 返回 上页 二极管ROM的电路结构图 字线 位线 地址代码 存储矩阵 地址译码器 输出缓冲器 二极管ROM 下页 返回 上页 0101 0011 0101 1011 0101 1100 地 址 数 据 ROM中的数据表 二极管ROM的电路结构图 下页 返回 上页 相当于在所有存储单元中都存入了 1。 写入数据时, 设法将需要存入0的那些存储单元上的熔丝烧断就可以。 PROM的内容只能写入一次。 总体结构与掩模ROM一样, 但出厂时已经在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储元件, 下页 返回 上页 EPROM(UVEPROM) 紫外线可擦除的可编程ROM(Ultra-Voilet Erasable Programmable Read-Only Memory) 早期存储单元中使用浮栅雪崩注入MOS管, 目前多改用叠栅注入MOS管, 擦除操作复杂,擦除速度很慢。 下页 返回 上页 电信号可擦除的可编程ROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 存储单元中采用了浮栅隧道氧化层MOS管, 擦除和写入时需要加高电压脉冲, 擦、写时间仍较长, 正常工作状态下,只能工作在读出状态。 2. E2PROM

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