模拟电子技术 翟丽芳第2章　双极型晶体管及其放大电路基础.ppt

3.混合Π形等效电路的密勒变换 　密勒等效后的晶体管高频等效电路 式中 CM称为密勒电容 4.晶体管的高频特性和高频参数 f T：特征频率，是指当 ， 即 时，晶体管无电流放大能力时的工作频率。 2.6.3　共射极电路的频率响应 1.中频电压放大倍数 　共射放大电路的中频等效电路 2.低频电压放大倍数 3.高频电压放大倍数 图2-61　共射放大电路的高频等效电路a)高频等效电路　b) 简化的等效电路 4.共射放大电路的频率响应及波特图 假设 5.放大电路频率响应的改善和增益带宽积 结论：当晶体管（ ）和信号源（RS）确定后，增益带宽 积几乎是常数。 例2-7　放大电路的等效电路如图所示，其中C2为耦合电容，数值为10μF，中频时可视为短路，CL为负载电容，数值为33pF，中频时可视为开路，gm=6mS，RS=1kΩ，Ri=10kΩ，RC=RL=5.1kΩ。试求：(1)中频时的电压放大倍数；(2)低频时的频率响应表达式及下限频率；(3)高频时的电压放大倍数和上限频率。 解（1）中频时的等效电路和电压放大倍数 （2）低频时的等效电路和电压放大倍数 （3）高频时的等效电路和电压放大倍数 本 章 小 结 1．晶体管也称为三极管，有NPN型和PNP型，常用的晶体管有硅管和锗管。 2．晶体管有三种工作状态，分别是放大、饱和和截止状态。模拟电路中晶体管常工作于放大状态；数字电路中晶体管常工作于饱和和截止状态（称为开关状态）。 3．晶体管的伏安特性有输入特性和输出特性。硅管和锗管的导通电压分别约为0.7V和0.3V；在放大区有 ，即较小的基极电流可以控制较大的集电极电流，所以通常称晶体管是一种电流控制器件。 4．温度对晶体管参数的影响是：温度升高时，β、ICEO增大，UBE减小。 5．晶体管放大电路有共射极、共集电极、共基极三种基本组态，共射极放大电路有电压和电流放大能力，输出与输入反相；共集电极放大电路又称为射极跟随器，没有电压放大能力，输入电阻大，输出电阻小，输出与输入同相；共基极放大电路有电压放大能力，没有电流放大能力，输入电阻小，输出与输入同相。 6．放大电路的静态通过直流通路分析，分析方法有图解法和估算法，分析的目的是获得静态工作点Q的值。 7．放大电路的动态分析方法有图解法和微变等效电路分析法。图解法在输出特性曲线上作图分析可以获得电路的最大动态范围；微变等效电路分析法通过微变等效电路可以获得放大电路的主要性能指标：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、带宽等。 8．放大电路的失真分线性失真和非线性失真。频率失真属于线性失真，分为幅度失真和相位失真，主要是由于外接电容和晶体管的结电容等线性元件等造成的；截止失真和饱和失真属于非线性失真，是由于输入信号过大或者Q点不适合使晶体管工作在非线性区而造成的。 9．影响放大电路频率特性的主要因素是外接电容和晶体管结电容。耦合电容、旁路电容等外接电容造成了放大倍数低频段的下降，晶体管结电容、分布电容等造成了放大倍数高频段的下降。放大电路的频率特性可以用波特图表示。从波特图上可以得到放大电路的三个参数：上限频率fH、下限频率fH和通频带fBW。 2.稳定静态工作点的共射极放大电路—分压式偏置共射极放大电路 设计要求： 硅管： 锗管： 例2-5　分压式偏置共射极放大电路如图2-36a所示。其中VCC=12V，RB1=39kΩ，RB2=20kΩ，RE=3.3kΩ，RC=2.7kΩ，RL=3kΩ，C1=C2=10μF,CE=47μF，晶体管VT为硅管，其β=100，rbb′=300Ω。试求：(1)静态工作点Q的值；(2)、Ri、Ro的值；(3)如果信号源内阻为2kΩ，求源电压放大倍数。 解　(1)静态工作点Q的分析 另一种分析方法： 结论：比较两种计算方法的结果，可见约有10%左右的误差。10%的计算误差在工程实际中是允许的。因为方法一比较简单，所以常被采用。 2) 交流性能指标的分析估算。 求源电压放大倍数 1.电路形式 2.5.2　共集电极放大电路 2.静态分析 3.动态分析 输入电阻 (3)输出电阻 4.共集电极放大电路的特点和用途 1)电压放大倍数小于1，但是接近于1，输出和输入同相跟随。2)输入电阻较大，可以在多级放大器中作输入级使用，以减小对信号源的影响；如果是测量仪器中的放大器，其输入电阻越大，对被测电路的影响越小，测量精度越高。3)输出电阻较小，可以在多级放大器中作输出级使用。4)高的输入电阻和低的输出电阻可以作阻抗变换，在两级放大电路之间或者在高内阻信号源和低阻抗负载之间起缓