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第一节 半导体二极管门电路 一、概述 二、半导体二极管的开关特性 2. 半导体二极管的开关特性 三、二极管与门 四、二极管或门 第一节 半导体二极管门电路 半导体二极管的开关特性 二极管与门 二极管或门 概述 下页 总目录 推出 下页 返回 1.门电路的概念 用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路, 通称为逻辑门电路,简称门电路。 常用的门电路在逻辑功能上有: 与门、或门、非门、与非门、或非门、 与或非门、异或门等。 上页 下页 返回 上页 在二值逻辑中,逻辑变量的取值不是1就是0, 在数字电路中,与之对应的是: 电子开关的两种状态。 半导体二极管 、三极管和MOS管, 则是构成这种电子开关的基本开关元件。 2.逻辑变量与状态开关 下页 返回 上页 高电平和低电平是两种状态, 是两个不同的可以截然区别开来的电压范围。 在电子电路中用高、低电平,分别表示二值逻辑的 1 和 0 两种逻辑状态。 3.高、低电平与正、负逻辑 控制开关S S断开时,输出高电平 S接通时,输出低电平 输入信号 获得高,低电平的基本原理 输出信号 R vO S vI Vcc 下页 返回 上页 4. 正逻辑和负逻辑 1 0 正逻辑 0 1 负逻辑 用1表示高电平 用0表示低电平 用0表示高电平 用1表示低电平 今后除非特别说明,本书中一律采用正逻辑。 下页 返回 上页 5. 门电路的发展 在最初的数字逻辑电路中,每个门电路都是用若干个分立的半导体器件和电阻、电容连接而成的。 用这种单元电路组成大规模的数字电路是非常困难的,这就严重地制约了数字电路的普遍应用。 随着数字集成电路的问世和大规模集成电路工艺水平的不断提高,今天已经能把大量的门电路集成在一块很小的半导体芯片上,构成功能复杂的“片上系统”。 从制造工艺上可以将目前使用的数字集成电路分为双极型、单极型和混合型三种。 下页 返回 上页 1961年美国得克萨斯仪器公司率先将数字电路的元、器件制作在同一硅片上,制成了数字集成电路(Integrated Circuits,简称 IC)。 由于集成电路体积小、重量轻、可靠性好,因而在大多数领域里迅速取代了分立器件组成的数字电路。 直到20世纪80年代初,采用双极型三极管组成的TTL型集成电路一直是数字集成电路的主流产品。 TTL电路存在着一个严重的缺点,这就是它的功耗比较大。因此,用TTL电路只能做成小规模集成电路(简称SSI,其中仅包含10个以内的门电路)和中规模集成电路(简称MSI,其中包含10~100个门电路) 。 下页 返回 上页 CMOS集成电路出现于20世纪60年代后期,它最突出的优点在于功耗极低,所以非常适合制作大规模集成电路。 随着CMOS制作工艺的不断进步,无论是在工作速度还是在驱动能力上, CMOS电路都已经不比TTL电路逊色。 因此, CMOS电路便逐渐取代TTL电路而成为当前数字集成电路的主流产品。 但在现有的一些设备中仍旧在使用TTL电路。 下页 返回 上页 1.理想开关的开关特性 静态:断开时,其等效电阻ROFF = ∞, 通过其中的电流 IOFF = 0。 闭合时,其等效电阻ROFF = 0, 其上的电压 UAK = 0。 动态:开通时间tON = 0。 关断时间tOFF = 0。 下页 返回 上页 时,二极管导通 时,二极管截止 控制二极管的开关状态 二极管开关电路 VCC R D + - - + vO vI 假定二极管D 为理想二极管 动画 下页 返回 上页 二极管的伏安特性 v i o 在分析各种实际的二极管电路时,由于二极管的特性并不是理想的开关特性,所以并不是任何时候都能假定二极管为理想二极管。 反向电阻不是无穷大 正向电阻不是0 为简化分析和计算,常用近似的二极管特性。 下页 返回 上页 + - 3. 二极管伏安特性的几种近似方法 RL + - VON rD + - VON O i v VON O i v VON VCC和RL都很小时 VON和rD不能忽略 O i v 与VCC和RL相比 VON不能忽略 rD可以忽略 与VCC和RL相比 VON和rD均可忽略 i + - - + VCC v 返回 二极管与门的逻辑电平 A/V 0 0 3 3 B/V 0 3 0 3 Y/V 0.7 0.7 0.7 3.7 D1、D2导通 D1导通 D2截止 D1截止 D2导通 D1、 D2导通 1. 电路组成及工作原理 最简单的与门可以由二极管和电阻组成。 图中A、B为两个输入变量,Y为输出变量。 设输入的高、低电平分别为3V、0V, 二极管的正向导通压降为0.7V 。 Y 二极管与门 VCC(5
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